Plasmonic detection of terahertz radiation in two-dimension channel of double-grating-gate field-effect transistors with asymmetric unit cell
- 1 к. ф.-м. н., ст. науч. сотрудник, Саратовский филиал ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН; ст. науч. сотрудник, СГУ им. Н. Г. Чернышевского
- 2 д. ф.-м. н., зав. лабораторией, Саратовский филиал ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН
- 3 сотрудник, Исследовательский ин-т электрических коммуникаций (Япония)
- 4 зав. лабораторией прикладной физики, Университет г. Саламанки (Испания)
- 5 сотрудник, лаборатория им. Ш. Кулона, Университет Moнтпелие-2 (Франция)
- 6 зав. лабораторией им. Ш. Кулона, Университет Moнтпелие-2 (Франция)
- 7 д. ф.-м. н., зам. директора ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, зав. лабораторией, СГУ им. Н. Г. Чернышевского
Keywords:
terahertz radiationtwo-dimensional plasmonfield-effect transistordetection of terahertz radiation
Abstract
We propose the field-effect transistor structure with two-dimension electron channel and double grating gate with asymmetric unit cell for plasmonic terahertz detection
How to cite
Фатеев Д.В., Попов В.В., Отсуджи Т., Мезиани Я.М., Кокилат Д., Кнап В., Никитов С.А. Плазмонное детектирование терагерцевого излучения в двумерном электронном канале полевого транзистора с двойным решеточным затвором и асимметричной элементарной ячейкой // Нелинейный мир. 2012. № 2. С. 82–83.
References
- Dyakonov M., Shur M. Detection, mixing, and frequency multiplication of terahertz radiation by two dimensional electronic fluid // IEEE Trans. Electron Devices. 1996. V. 43. P. 380.
- Peralta X. G., Allen S. J., Wanke M. C., Harff N. E., Simmons J. A., Lilly M. P., Reno J. L., Burke P. J., Eisenstein J. P. Terahertz photoconductivity and plasmon modes in double quantum-well field-effect transistors // Applied Physics Letters. 2002. V. 81. P. 1627.
- Coquillat D., Nadar S., Teppe F., Dyakonova N., Boubanga-Tombet S., Knap W., Nishimura T., Otsuji T., Meziani Y.M., Tsymbalov G. M., Popov V. V. Room temperature detection of sub-terahertz radiation in double-grating-gate transistors // Optics Express. 2010. V. 18. P. 6024.
- Маремьянин К. В., Ермолаев Д. М., Фатеев Д. В., Морозов С. В., Малеев Н. А., Земляков В. Е., Гавриленко В. И., Попов В. В., Шаповал С. Ю. Широкоапертурный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs со щелевым решеточным затвором большой площади // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. С. 39-47.
