Plasmon detection of terahertz radiation by grating-gate field-effect transistors with two-dimensional channel
- 1 к.ф.-м.н., науч. сотрудник, СФ ИРЭ им.В.А.Котельникова РАН
Abstract
Terahertz plasmons in the grating-gate FET structures with two-dimensional electron channels are investigated.
How to cite
Фатеев Д.В. Плазмонное детектирование терагерцевого излучения в полевых транзисторах с двумерным электронным каналом и решеточным затвором // Нелинейный мир. 2011. № 1. С. 48–49.
References
- Popov V.V., Tsymbalov G.M., Fateev D.V., Shur M.S. Higher-order plasmon resonances in GaN-based field-effect-transistor arrays // International Journal of High Speed Electronics and Systems. 2007. V.17(3). P.557.
- Фатеев Д.В., Попов В.В., ShurM.S. Трансформация
плазмонного спектра в транзисторной структуре с решеточным затвором и
пространственно-модулированным двумерным электронным каналом // Физика и
техника полупроводников. 2010.
Т. 44(11). С.1455. - Маремьянин К.В., Ермолаев Д.М., Фатеев Д.В., Морозов С.В., Малеев Н.А., Земляков В.Е., Гавриленко В.И., Попов В.В., Шаповал С.Ю. Широкоапертурный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs со щелевым решеточным затвором большой площади // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36(8). С. 39.
- Popov V.V., Fateev D.V., Polischuk O.V., Shur M.S. Enhanced electromagnetic coupling between terahertz radiation and plasmons in a grating-gate transistor structure on membrane substrate // Optics Express. 2010. V.18(16). P.16771.