А.В. Афанасьев - к.т.н., доцент, кафедра микро- и наноэлектроники, Электротехнический университет «ЛЭТИ» (Санкт-Петербург) Б.В. Иванов - к.т.н., доцент, кафедра радиотехнической электроники, Электротехнический университет «ЛЭТИ» (Санкт-Петербург). E-mail: bvivanov@yandex.ru В.А. Ильин - к.т.н., доцент, кафедра микро- и наноэлектроники, Электротехнический университет «ЛЭТИ» (Санкт-Петербург). E-mail: ilyicmid@gmail.ru А.Ф. Кардо-Сысоев - д.ф. м.н., гл. науч. сотрудник, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). E-mail: alx@helen.ioffe.ru В.И. Тихомиров - инженер, Электротехнический университет «ЛЭТИ» (Санкт-Петербург). E-mail: cmid@inbox.ru А.А. Смирнов - инженер 3-кат., ОАО «НИИ «Вектор» (Санкт-Петербург). E-mail: gr4211@mail.ru

А.М. Бобрешов - д.ф.-м.н., профессор, кафедра электроники, декан Физического факультета, Воронежский государственный университет E-mail: bobreshov@phys.vsu.ru С.Е. Нескородов - аспирант, Воронежский государственный университет E-mail: neskorodov93@mail.ru Г.К. Усков - д.ф.-м.н., доцент, кафедра электроники, Физический факультет, Воронежский государственный университет E-mail: uskov@phys.vsu.ru

Р.Ф. Халиуллин1, А.И. Сулимов2

1,2 Институт физики, Казанский (Приволжский) федеральный университет (г. Казань, Россия)

1 sven456634@gmail.com; 2 asulimo@gmail.com