Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову field effect transistor
Уменьшение погрешности контактирования при измерении параметров мощных полевых транзисторов
А.А. Капралова - вед. инженер ФГУП НПП «Исток» В.М. Лукашин - нач. НТС НИИ «МЭИИТ МИЭМ» Л.В. Манченко - нач. лаборатории ФГУП НПП «Исток» А.Б. Пашковский - д.ф.-м.н., нач. отдела ФГУП НПП «Исток» В.А. Пчелин - к.т.н., нач. лаборатории ФГУП НПП «Исток». E-mail: solidstate10@mail.ru
Управление полевыми транзисторами в мостовой схеме с фазовым сдвигом без применения нелинейных оптопар в контуре обратной связи
А.М. Бобрешов - д. ф.-м. н., профессор, зав. кафедрой электроники, Воронежский государственный университет (ВГУ), декан физического факультета ВГУ. E-Mail: bobreshov@phys.vsu.ru А.В. Дыбой - к. ф.-м. н., доцент, кафедра электроники Воронежский государственный университет. E-Mail: dyboy_a@mail.ru В.Мухаммед Салех - аспирант, кафедра электроники, Воронежский государственный университет. E-Mail: wathik@yandex.ru С.В. Бабенко - студент, кафедра электроники, Воронежский государственный университет. E-Mail: salia2@yandex.ru
Моделирование микроволновых трехконтактных активных устройств с использованием метода конечных разностей во временной области

В.В. Глотов1, И.В. Остроумов2, И.В. Свиридова3, С.М. Фёдоров4

1–4 Воронежский государственный технический университет (г. Воронеж, Россия)

1 vadik-livny@mail.ru, 2 vanik07@mail.ru, 3 ri-ss-ka@mail.ru, 4 zar36@yandex.ru