Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову epitaxial gaas structure
Рентгеновские детекторы на основе эпитаксиальных структур GaAs и монокристаллов Cd0,9Zn0,1Te

Ю.М. Дикаев – к.ф.-м.н., науч. сотрудник, Институт Радиотехники и Электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук (РАН), Фрязинский филиал (ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН)

E-mail: ymd217@ire216.msk.su

А.А. Кудряшов –  науч. сотрудник, Институт Радиотехники и Электроники им. В.А. Котельникова  Российской академии наук (РАН), Фрязинский филиал. (ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН)

E-mail: aka217@ire216.msk.su

А.Г. Петров –  науч. сотрудник, Институт Радиотехники и Электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук (РАН), Фрязинский филиал. (ФИРЭ им. В.А.Котельникова РАН)

E-mail: agp217@ire216.msk.su

Рентгеновский детектор на основе эпитаксиальных структур GaAs в режиме скользящего облучения

Ю.М. Дикаев1, А.А. Кудряшов2

1,2 Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН,

Фрязинский филиал (г. Фрязино, Моск. обл., Россия)

1 ymd289@yandex.ru, 2 aka217@ire216.msk.su