Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову double gate soi nanotransistor
Минимизация коротко-канальных эффектов в характеристиках двухзатворных КНИ КМОП нанотранзисторов с архитектурой «без перекрытия»
Н.В. Масальский - к.ф.-м.н., зав. сектором, Научно-исследовательский институт (НИИСИ) РАН (Москва). E-mail: volkov@niisi.ras.ru