Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову bipolar transistor
Шумовые характеристики двухполюсника с отрицательным сопротивлением на основе биполярного транзистора
М.П. Савченко
Методика моделирования переходных процессов в однотактных каскадах на биполярных транзисторах
А.Г. Чертановский - ст. преподаватель, кафедра радиотехники и радиотехнических систем, Чувашский государственный университет им. И.Н. Ульянова E-mail: alexgray@mail.ru
Решение задач проектирования СВЧ-генератора с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе
Д.М. Горбачев - к. т. н., инженер-программист ООО НетКРЭКер Е.В. Мазеев - аспирант Саратовского ГТУ М.А. Фурсаев - д. т. н., профессор Саратовского ГТУ
Эффект интермодуляции на выходе передающей адаптивной антенной решетки
Д.Д. Ганзий - д.т.н., начальник отделения, ОАО «НПЦ «ВИГСТАР» (Москва) E-mail: ntc4@vigstar.ru П.В. Русаков - начальник сектора, ОАО «ГСКБ «Алмаз-Антей» (Москва) E-mail: rp258rt@rambler.ru Г.И. Трошин - д.т.н., профессор, вед. науч. сотрудник, ОАО «НПЦ «ВИГСТАР» (Москва) E-mail: ntc4@vigstar.ru
Особенности проектирования широкополосных усилительных модулей диапазона 2-4 ГГц с выходной мощностью 50 Вт
М.П. Апин - к.э.н., первый зам. ген. директора - гл. инженер, ОАО «НПП «Алмаз» (г. Саратов) Л.С. Сотов - д.т.н., профессор, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского А.Л. Хвалин - д.т.н., доцент, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
Характеристики электромагнитной совместимости малошумящего усилителя на биполярном транзисторе с гетеропереходом при воздействии сверхкоротких импульсных помех
А.М. Бобрешов - д.ф.-м.н., профессор, декан Физического факультета, Воронежский государственный университет. E-mail: bobreshov@phys.vsu.ru И.С. Коровченко - к.ф.-м.н., доцент, Физический факультет, Воронежский государственный университет. E-mail: korovchenko@vsu.ru В.А. Степкин - к.ф.-м.н., доцент, Физический факультет, Воронежский государственный университет E-mail: stepkin@phys.vsu.ru Г.К. Усков - д.ф.-м.н., доцент, Физический факультет, Воронежский государственный университет E-mail: uskov@phys.vsu.ru Лэ Куанг Тук - аспирант, Физический факультет, Воронежский государственный университет E-mail: lequangtuc@gmail.com
Проектирование мощных широкополосных усилителей на отечественной элементной базе в диапазоне 1-2 ГГц
М.П. Апин - к.э.н., первый зам. ген. директора, гл. инженер, АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов) А.Г. Балаболин - начальник отдела, АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов) А.Л. Хвалин - д.т.н., профессор, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского Л.С. Сотов - д.т.н., профессор, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
Генератор хаоса с высоким энергетическим потенциалом

С.В. Савельев, Л.А. Морозова

 Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН (г. Фрязино, Россия)

Моделирование широкополосного термостабилизированного усилительного модуля в диапазоне частот 1…2 ГГц

В.С. Чесаков – магистрант, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского

E-mail: seva.chesakov@mail.ru, kof@info.sgu.ru

Л.С. Сотов – д.т.н., Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского E-mail: slskit@mail.ru, kof@info.sgu.ru

Моделирование характеристик биполярного транзистора 2Т937 Часть I. Статические характеристики

М.П. Апин – к.э.н., первый зам. ген. директора, АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов)

E-mail: info@almaz-rpe.ru, almaz-npp@mail.ru

А.Г. Балаболин – начальник отдела, АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов)

E-mail: titkov-1973@yandex.ru, almaz-npp@mail.ru

А.Л. Хвалин – д.т.н., профессор, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского

Моделирование характеристик биполярного транзистора 2Т937 Часть II. Частотные характеристики

М.П. Апин – к.э.н., первый зам. ген. директора, АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов)

E-mail: info@almaz-rpe.ru, almaz-npp@mail.ru

А.Г. Балаболин – начальник отдела, АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов)

E-mail: titkov-1973@yandex.ru, almaz-npp@mail.ru

А.Л. Хвалин – д.т.н., профессор, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского

Оптимизация характеристик усилителя мощности на отечественных биполярных транзисторах в диапазоне от 1 до 2 ГГц

М.П. Апин – к.э.н., первый зам. ген. АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов)

Г.В. Кудряшов – начальник научно-производственного комплекса, АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов)

А.Л. Хвалин – д.т.н., профессор, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского