А.Н. Шебанов - инженер, кафедра физики полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет E-mail: bigbugov@mail.ru Е.В. Богатиков - к.ф.-м.н., доцент, кафедра физики полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет. E-mail: me144@phys.vsu.ru Л.А.Битюцкая - к.хим.н., доцент, кафедра физики полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет. E-mail: me144@phys.vsu.ru Е.Н. Бормонтов - д.ф.-м.н., проф., зав. кафедрой полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет. E-mail: me144@phys.vsu.ru

А.Н. Шебанов - инженер, кафедра физики полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет. E-mail: bigbugov@mail.ru Е.В. Богатиков - к.ф.-м.н., доцент, кафедра физики полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет. E-mail: me144@phys.vsu.ru Л.А. Битюцкая - к.хим.н., доцент, кафедра физики полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет. E-mail: me144@phys.vsu.ru Е.Н. Бормонтов - д.ф.-м.н., проф., зав. кафедрой полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет. E-mail: me144@phys.vsu.ru

Е.М. Рогинский - к.ф-м.н., ст. науч. сотрудник, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург). E-mail: e.roginskii@mail.ioffe.ru А.С. Крылов - к.ф-м.н., доцент, ст. науч. сотрудник, Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН (г. Красноярск). E-mail: shusy@iph.krasn.ru Ю.Ф. Марков - д.ф-м.н., профессор, гл. науч. сотрудник, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург). E-mail: Yu.Markov@mail.ioffe.ru