Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову терагерцовое излучение
Плазмонное детектирование терагерцевого излучения в полевых транзисторах с двумерным электронным каналом и решеточным затвором
Д.В. Фатеев - к.ф.-м.н., науч. сотрудник, СФ ИРЭ им.В.А.Котельникова РАН E-mail: FateevDV@yandex.ru
Плазмонное детектирование терагерцевого излучения в двумерном электронном канале полевого транзистора с двойным решеточным затвором и асимметричной элементарной ячейкой
Д.В. Фатеев - к. ф.-м. н., ст. науч. сотрудник, Саратовский филиал ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН; ст. науч. сотрудник, СГУ им. Н. Г. Чернышевского. Е-mail: FateevDV@yandex.ru В.В. Попов - д. ф.-м. н., зав. лабораторией, Саратовский филиал ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН Т. Отсуджи - сотрудник, Исследовательский ин-т электрических коммуникаций (Япония) Я.М. Мезиани - зав. лабораторией прикладной физики, Университет г. Саламанки (Испания) Д. Кокилат - сотрудник, лаборатория им. Ш. Кулона, Университет Moнтпелие-2 (Франция) В. Кнап - зав. лабораторией им. Ш. Кулона, Университет Moнтпелие-2 (Франция) С.А. Никитов - д. ф.-м. н., зам. директора ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, зав. лабораторией, СГУ им. Н. Г. Чернышевского
Лазерная генерация на слабых модах в графеновой структуре с асимметричной элементарной ячейкой

К.В. Машинский1, В.В. Попов2, Д.В. Фатеев3

1−3 СФ ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (г. Саратов, Россия)

Отрицательная проводимость графена с дрейфом носителей заряда

И.М. Моисеенко1, В.В. Попов2, Д.В. Фатеев3

1−3 СФ ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (г. Саратов, Россия)