Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову Энергонезависимая память
Эффект резистивного переключения в тонких пленках оксида гафния в наноструктурах TiN/Hf<sub>x</sub>Al<sub>1-x</sub>O<sub>y</sub>/HfO<sub>2</sub>/TiN
С.А. Зайцев - к.ф.-м.н, науч. сотрудник, Московский физико-технический институт (государственный университет). Е-mail: mioga@list.ru О.М. Орлов - к.т.н, доцент, начальник лаборатории, Научно-исследовательский институт молекулярной электроники (Москва). Е-mail: oorlov@mikron.ru Е.С. Горнев - д.т.н, профессор, гл. науч. сотрудник, Научно-исследовательский институт молекулярной электроники (Москва). Е-mail: egornev@mikron.ru К.В. Егоров - аспирант, Московский физико-технический институт (государственный университет). Е-mail: egorov.constantin@gmail.com Р.В. Киртаев - студент, Московский физико-технический институт (государственный университет). Е-mail: rkirtaev@gmail.com А.М. Маркеев - к.ф.-м.н., вед. науч. сотрудник, Московский физико-технический институт (государственный университет). Е-mail: amarkeev@mail.mipt.ru А.В. Заблоцкий - к.ф.-м.н, доцент, Московский физико-технический институт (государственный университет). Е-mail: zalexx@gmail.com
Исследование элементов хранения на основе сегнетоэлектрика для производства энергонезависимой памяти (FeRAM)

И.В. Орехова1, А.Ю. Азов2, Г.В. Тимофеева3, С.Д. Серов4, И.В. Баранова5, А.В. Плотнов6

1–6 ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ» (г. Саров, Россия)
1 ivstepanova@vniief.ru, 2 aazov@niiis.nnov.ru, 3 gtimofeeva@niiis.nnov.ru, 4 sdserov@vniief.ru,
5 petreeva@mail.ru, 6 aplotnov@niiis.nnov.ru