350 руб
Журнал «Наноматериалы и наноструктуры - XXI век» №2 за 2014 г.
Статья в номере:
Эффект резистивного переключения в тонких пленках оксида гафния в наноструктурах TiN/Hf<sub>x</sub>Al<sub>1-x</sub>O<sub>y</sub>/HfO<sub>2</sub>/TiN
Ключевые слова: эффект резистивного переключения атомно-слоевое осаждение энергонезависимая память оксид гафния
Авторы:
С.А. Зайцев - к.ф.-м.н, науч. сотрудник, Московский физико-технический институт (государственный университет). Е-mail: mioga@list.ru О.М. Орлов - к.т.н, доцент, начальник лаборатории, Научно-исследовательский институт молекулярной электроники (Москва). Е-mail: oorlov@mikron.ru Е.С. Горнев - д.т.н, профессор, гл. науч. сотрудник, Научно-исследовательский институт молекулярной электроники (Москва). Е-mail: egornev@mikron.ru К.В. Егоров - аспирант, Московский физико-технический институт (государственный университет). Е-mail: egorov.constantin@gmail.com Р.В. Киртаев - студент, Московский физико-технический институт (государственный университет). Е-mail: rkirtaev@gmail.com А.М. Маркеев - к.ф.-м.н., вед. науч. сотрудник, Московский физико-технический институт (государственный университет). Е-mail: amarkeev@mail.mipt.ru А.В. Заблоцкий - к.ф.-м.н, доцент, Московский физико-технический институт (государственный университет). Е-mail: zalexx@gmail.com
Аннотация:
Изучен эффект резистивного переключения наноструктур типа металл-оксид-металл TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN на основе тонкой пленки двухслойного оксида, включающей в себя слой стехиометрического оксида гафния и нестехиометрического оксида гафния, допированного алюминием. Слои оксидов нанесены методом атомно-слоевого осаждения. Определены параметры резистивного переключения полученных наноструктур, в том числе время хранения записанного состояния в изготовленных структурах.
Страницы: 10-15
Список источников

 

  1. Fujisaki Y. Review of emerging new solid-state non-volatile memories // Japanese Journal of Applied Physics. 2013. V. 52. I. 4 PART 1. Article number 040001.
  2. Ishiwara H. Ferroelectric Random Access Memories // Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 2012. V. 12. P. 7619. DOI:10.1166/jnn.2012.6651.
  3. KhvalkovskiyA.V., sApalkov D., Watts S.,  Chepulskii R., et al. Basic principles of STT-MRAM cell operation in memory arrays // Journal of Physics D: Applied Physics. 2013. V. 46. N 7. Р. 74001-74020(20).
  4. Yang J. J., Strukov D. B., Stewart D. R. Memristive devices for computing // Nature nanotechnology. 2013. V. 8. P. 13.
  5. Красников Г.Я.Конструктивно-технологическиеособенностисубмикронныхМОП-транзисторов. М.: Техносфера. 2011.
  6. International Technological Roadmap in Semiconductors. Еd. 2013.
  7. Чупpик А.А., Батуpин А.С., Горнев Е.С. и др. Эффект резистивного переключения в оксидных пленках HfxAl1-xOy с переменным составом, выращенных методом атомно-слоевого осаждения // Нано- и микросистемная техника. 2013. № 6. С. 13.
  8. Чуприк А.А., Маркеев А.М., Горнев Е.С. и др., Прототип мемристорной ячейки на основе МДМ-структур с использованием диэлектрической пленки HfxAl1-xOy с переменным составом // Журнал радиоэлектроники. 2013. № 6.
  9. http://jre.cplire.ru/mac/jun13/11/text.pdf
  10. Padovani A., Larcher L., de Pavan P. Understanding the Role of the Ti Metal Electrode on the Forming of HfO2-based RRAMs // Memory Workshop (IMW). 2012 4th IEEE International, DOI: 10.1109/IMW. 2012. 6213667.
  11. Gilmer D.C., Bersuker G., Park H-Y., Park C., et el, Superior filament formation control in HfO2 based RRAM for high-performance low-power operation of 1 µA to 20 µA at +/− 1V // International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications (VLSI-TSA). 2012. DOI: 10.1109/VLSI-TSA. 2012. 6210102
  12. Peng C.-S., Chang W.-Y., Lee Yi-H., Lin M.-Ho, et al.Improvement of Resistive Switching Stability of HfO2 Films with Al Doping by Atomic Layer Deposition // Electrochemical and Solid-State Letters.2012. 15(4). H88-H90. DOI:10.1149/2.011204esl.
  13. Красников Г.Я., Бокарев В.П. Поверхностная энергия и огранка кристаллов элементарных полупроводников и некоторых других веществ // Доклады Академии Наук. 2002. Т. 382. № 2. С. 1-5.
  14. Yu S., Guan X., Philip Wong H.-S.On the Switching Parameter Variation of Metal Oxide RRAM - Part I: Physical Modeling and Simulation Methodology // IEEE transactions on electron devices. 2012. V. 59. № 5. Р. 1172-1182.
  15. Chen Y.Y., Goux L., Pantisano L. et al, Fully CMOS BEOL compatible HfO2 RRAM cell, with low (μA) program current, strong retention and high scalability, using an optimized plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) process for TiN electrode // IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC). 2011. DOI: 10.1109/IITC. 2011. 5940299.