350 руб
Журнал «Антенны» №2 за 2014 г.
Статья в номере:
Мощные усилители X-диапазона (обзор)
Ключевые слова: мощный СВЧ-усилитель GaN X-диапазон
Авторы:
А. Е. Обухов - инженер, Научный центр специальной радиоэлектроники и менеджемента МАИ (НИУ). E-mail: o6yxoff@gmail.com
Аннотация:
Показана востребованность мощных усилителей Х-диапазона, в том числе, в бортовых РЛС. Приводится обзор технических решений и образцов современных монолитных интегральных схем СВЧ и СВЧ-усилителей.
Страницы: 58-61
Список источников

  1. Обухов А. Разработка мощного твердотельного передатчика для МБРЛС // Тезисы докл. 11-й междунар. конф. «Авиация и космонавтика - 2012», 13-15 ноября 2012 г., Москва. СПб.: Мастерская печати. 2012.
  2. Шахнович И.Твердотельные СВЧ-приборы и технологии. Состояние и перспективы. // Электроника: НТБ. 2005. № 5.
  3. Кищинский А. Широкополосные транзисторные усилители мощности СВЧ-диапазона - смена поколений // Электроника: НТБ. 2010. № 2.
  4. Обухов А., Снастин М. Разработка мощного усилителя Х-диапазона на GaN транзисторе. // Тезисы докл. 10-й междунар. конф.  «Авиация и космонавтика - 2011», 8-10 ноября 2011 г., Москва. Тезисы докладов. СПб.: Мастерская печати. 2011.5.
  5. Van Raay F. et al. X-Band High-Power Microstrip AlGaN/GaN HEMT Amplifier MMICs // Microwave Symposium Digest, 2006. IEEE MTT-S International. P. 1368-1371.
  6. Piotrowicz S. et al. 43W, 52 % PAE X-Band AlGaN/GaN HEMTs MMIC Amplifiers // Microwave Symposium Digest (MTT), 2010. IEEE MTT-S International. P. 505-508.
  7. Campbell C. F., Poulton M. Compact Highly Integrated X-Band Power Amplifier Using Commercially Available Discrete GaN FETs // Microwave Conference Proceedings (APMC), 2011. P. 243-246.