350 руб
Журнал «Антенны» №9 за 2012 г.
Статья в номере:
Канальные приемные модули цифровых антенных решеток
Ключевые слова: LTCC модули приёмного канала цифровые антенные решётки
Авторы:
К.В. Бойко - к.т.н., ст. научн. сотрудник ФГУП «РНИИРС» ФНПЦ. E-mail: kboyko@mail.ru Ю.В. Кузнецов - младший научный сотрудник ФГУП «РНИИРС» ФНПЦ. E-mail: kuznetsov_yu_v@list.ru С.Н. Лысенко - начальник сектора ФГУП «РНИИРС» ФНПЦ. E-mail: lysenkosn@mail.ru С.С. Муратов - руководитель группы ФГУП «РНИИРС» ФНПЦ. E-mail: smuratov@mail.ru В. О. Петин - начальник сектора ФГУП «РНИИРС» ФНПЦ. E-mail: pvo73@mail.ru А.М. Прищенко - к.т.н., ст. научн. сотрудник ФГУП «РНИИРС» ФНПЦ А.Л. Шлаферов - к.т.н., начальник отдела ФГУП «РНИИРС» ФНПЦ. E-mail: shlaferov@mail.ru
Аннотация:
Приведено описание разработанного комплекта функциональных модулей приёмного канала для цифровых антенных решеток сантиметрового диапазона, изготавливаемого по технологии низкотемпературной совместно обжигаемой керамики (LTCC). Для защиты модуля на его входе предусмотрены полосно-пропускающий фильтр с малыми потерями и ограничитель.
Страницы: 81-85
Список источников
  1. Бледнов И. И. Состояние и тенденции развития ИЭТ СВЧ для применения в АФАР: Обзоры по электронной технике. Сер. 1 // ЭлектроникаСВЧ. Вып. 18 (1590). 1990.
  2. Skonik M. Role of Radar in Microwaves // IEEE trans. Microwave theory tech. March 2002. V. 50. №3. С. 625 - 632.
  3. Mitchell B. et al. Monolithic FET structures for high-power control component applications // IEEE trans. Microwave theory tech. December 1989. V. 37. № 12. С. 2134 - 2141.
  4. Богданов Ю. М., Галдецкий А. В, Красник В. А.,  Лапин В. Г.,Лукьянов В. А., Темнов А. М, Щербаков Ф. Е. Полнофункциональный ряд дискретных управляющих GaAs МИС // Материалы 16-й Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные тех-нологии» Севастополь: Вебер. 2006. Т. 1. С. 185 - 186.
  5. Piotrowicz S. et al. Ultra Compact X-Band GaInP/GaAs HBT MMIC amplifiers: 11 W, 42 % of PAE on 13mm² and 8.7 W, 38 % of PAE on 9 mm² // Proceeding of the IEEE MTTS, Session: THPD, San-Francisco. 2006.
  6. Монолитный GaAs усилитель M/A-COM с выходной мощностью 20 Вт в диапазоне 10 ГГц // Новости СВЧ-техники. 2006. № 3. С. 6.
  7. Мокеров В. Г., Гюнтер В. Я., Аржанов С. Н., Федоров Ю. В., Щербакова М. Ю., Бабак Л. И., Баров А. А., Черкашин М. В., Шеерман Ф. И. Монолитный малошумящий усилитель X-диапазона на основе 0,15 мкм GaAs p-HEMT технологии // 17-я Междунар. Крымская конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо'2007). Т. 1. С. 77 - 78.
  8. Ли А. И., Толстолуцкий С. И., Казачков В. В., Толстолуцкая А. В. Монолитные интегральные схемы СВЧ-ограничителей мощности на арсениде галлия // Материалы 20-й Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь: Вебер. 2010. Т. 1. С. 145 - 146.
  9. Семенова Л. М., Осипов А. М.Разработка монолитных малошумящих усилителей L- и S-диапазонов // Материалы 17-й Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь: Вебер. 2007. Т. 1. С. 95 - 96.
  10. Ли А. И., Толстолуцкий С. И., Казачков В. В., Толстолуцкая А. В.Твердотельный широкополосный смеситель на арсениде галлия // Материалы 21-й Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь: Вебер. 2011. Т. 1. С. 191 - 192.