350 руб
Журнал «Наукоемкие технологии» №2 за 2012 г.
Статья в номере:
Оптимизация профиля легирования широкозонных эмиттеров в родгс - лазерах системы AlGaAs/InGaAs/AlGaAs
Ключевые слова: РОДГС-лазер широкозонные эмиттеры оптимизация КПД
Авторы:
Ю. П. Головатый - ст. преподаватель, Калужский филиал МГТУ им. Н. Э. Баумана А. П. Ивахненко - инженер, ЗАО ЭЛМАТ М. А. Ладугин - к. т. н., ст. науч. сотрудник, ООО «Сигм Плюс» С. С. Стрельченко - д. т. н., профессор, Калужский филиал МГТУ им. Н. Э. Баумана. E-mail: stas40@kaluga.ru
Аннотация:
Построена электромагнитная модель РОДГС-лазера с неоднородно легированными широкозонными эмиттерами. Вариационным методом определён оптимальный профиль легирования эмиттеров лазера с одной квантовой ямой в системе AlGaAs/InGaAs/AlGaAs. Рассчитана зависимость оптимального КПД лазера от тока накачки
Страницы: 55-61
Список источников
  1. Wang J., Smith B., Xie X. e.a. // Appl. Phys. Let. 1998. V. 74. N. 7. P. 1525 - 1527.
  2. Чельный А. А., Валуев А. В., Маслов С. В. // Квантовая электроника. 2004. Т. 34. № 1. С. 2 - 7
  3. Belenky L., Reynolds C., Donetsky D. e.a. // IEEE Journal of Quantum Electronics. 1999. V. 35. N.10. P. 1515 - 1520.
  4. Chelny A., Kobyakova M., Eliseev P. // IEEE Journal of Quantum Electronics. 2004. V. 40. N. 12. P.113 - 117.
  5. Eliseev P., Chelny A., Aluev A. e.a. // IEEE Photonics Technology Letters. 2002. V. 14. № 1. P. 15 - 17.
  6. Numai T. Fundamentals of Semiconductor Lasers. Springer. 2004.
  7. Zory P. Quantum Well Lasers. Academic Press Inc. 1993.
  8. Слипченко С. О., Винокуров Д. А., Пихтин Н. А. и др. // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. Вып. 12. С. 1477 - 1486.
  9. Ладугин М. А. Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры  для мощных импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0,9 мкм. Автореферат дисс. на соиск. уч. степени канд. техн. наук. Москва, 2009.