Аснис Е. А., Баранский П.И., Бабич В.М., Гайдар А.В., Заболотин С.П.

Исследована зависимость удаления легирующей (фосфор) и фоновой (кислород) примесей из объема монокристаллов Si от уровня вакуума при электронно-лучевой бестигельной зонной перекристаллизации (БЗП); показано, что для получения кристаллов Si методом БЗП с пониженной концентрацией названных выше примесей процесс перекристаллизации необходимо проводить в условиях, повозможности, более глубокого вакуума.