А.М. Бобрешов - д.ф.-м.н., профессор, декан Физического факультета, Воронежский государственный университет. E-mail: bobreshov@phys.vsu.ru А.С. Жабин - ассистент, Физический факультет, Воронежский государственный университет. E-mail: zhabin@phys.vsu.ru В.А. Степкин - к.ф.-м.н., доцент, Физический факультет, Воронежский государственный университет. E-mail: stepkin@phys.vsu.ru Г.К. Усков - д.ф.-м.н., доцент, Физический факультет, Воронежский государственный университет. E-mail: uskov@phys.vsu.ru

Рассмотрен вопрос расчета параметров импульсного сигнала субнаносекундной длительности, формируемого генератором на основе диода с накоплением заряда (ДНЗ). Ключевой особенностью статьи является анализ работы диода в схеме с индуктивным накопителем энергии. Проведен расчет токов, протекающих через ДНЗ на всех стадиях его работы. В явном виде получено выражение для напряжения на выходе генератора, в которое входит зависимость от параметров схемы и используемого диода. Выявлена зависимость амплитуды формируемых импульсов от величины прямого тока.

 

1. Финкельштейн М.И.и др. Подповерхностная радиолокация / Под ред. М.И. Финкельштейна. М.: Радио и связь. 1994. 216 с.
2. Лазоренко О.В., Черногор Л.Ф. Сверхширокополосные сигналы и физические процессы. 1. Основные понятия, модели и методы описания // Радиофизика и радиоастрономия. 2008. Т. 13. № 2. С. 166−194.
3. Лазоренко О.В., Черногор Л.Ф. Сверхширокополосные сигналы и физические процессы. 2. Методы анализа и применение // Радиофизика и радиоастрономия. 2008. Т. 13. № 4. С. 270−322.
4. Иммореев И.Я. Сверхширокополосная локация: основные особенности и отличия от традиционной радиолокации // Электромагнитные волны и электронные системы. 1997. Т. 2. № 1. С. 81−88.
5. Белкин В.С., Шульженко Г.И. Формирователи мощных наносекундных и пикосекундных импульсов на полупроводниковой элементной базе. Новосибирск: Институт ядерной физики. 1991. С. 5.
6. Носов Ю.Р., Полупроводниковые диоды с накоплением заряда и их применение. М.: Сов. радио. 1966. С. 7.
7. Moll J.L., Krakauer S., Shen R. P-n junction charge storage diodes // Proc. IRE. 1962. V. 50. № 1. P. 43−53.
8. Moll J.L., Hamilton S.A. Physical Modeling of the Step Recovery Diode for Pulse and Harmonic Generation Circuits // Proceedings of IEE. V. 37. P. 1250−1259.
9. Грехов И.В., Месяц Г.А. Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов // Успехи физических наук. 2005. Т. 175. № 7. С. 735−744.
10. Аристов Ю.В., Воронков В.Б., Грехов И.В., Козлов А.К., Коротков С.В., Люблинский А.Г. Мощный полупроводниковый переключатель высоковольтных импульсов с наносекундным фронтом нарастания // Приборы и техника эксперимента. 2007. № 2. С. 87−90.
11. Белкин В.С., Шульженко Г.И. // Приборы и техника эксперимента. 1994. № 4.
12. Бобрешов А.М., Степкин В.А., Китаев Ю.И., Усков Г.К. Генерация сверхкоротких импульсных сигналов // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2011. Т14. № 3. С. 103.
13. Усков Г.К. Физика диодов с накоплением заряда при генерации сверхкоротких импульсов // Теория и техника радиосвязи. 2012.№ 4. С. 100−105.
14. Кюрегян А.С. Теория дрейфовых диодов с резким восстановлением // Журнал технической физики. 2004. Т. 74. С. 57−64.
15. Sameer P. Pendharkar, Malay Trivedi, Krishna Shenai. Dynamics of Reverse Recovery of High-Power p-i-n Diodes // IEEE Transactions on electronic devices. 1996.V. 43. № 1.
16. Кюрегян А.С., Юрков С.Н. // Физика и техника полупроводников. 1989. Т. 23.
17. Зи С. Физика полупроводниковых приборов / Пер. с англ., под ред. А.Ф. Трутко. М.: Энергия. 1973. 655 с.
18. Бобрешов А.М., Жабин А.С., Степкин В.А., Усков Г.К., Лэ Куанг Тук Генератор сверхкоротких импульсов с электронным управлением длительностью // Успехи современной радиоэлектроники. 2015. № 11. С. 24−28.