350 руб
Журнал «Радиотехника» №8 за 2015 г.
Статья в номере:
Акустооптическая ячейка на основе сплава теллура и кремния
Авторы:
В.Б. Волошинов - к.ф.-м.н., доцент, кафедра физики колебаний, физический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова. E-mail: volosh@phys.msu.ru Л.А. Кулакова - д.ф.-м.н., профессор, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). E-mail: L.Kulakova@mail.ioffe.ru Н. Гупта - к.н., зав. акусто-оптической лаборатории, Исследовательская лаборатория армии США (Адельфай). E-mail: neelam.gupta.civ@mail.mil В.С. Хоркин - студент, кафедра физики колебаний, физический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова. E-mail: vld_510@mail.ru Г.А. Князев - к.ф.-м.н., доцент, кафедра фотоники и физики микроволн, физический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова. E-mail: g_knyazev@mail.ru
Аннотация:
Изучены стекла, в состав которых входят теллур, германий, селен и кремний, перспективные для применения в акустооптических устройствах и прозрачные в инфракрасном диапазоне спектра на длинах волн от 1,5 до 20 мкм. Рассмотрены оптические свойства стекол, такие как показатель преломления и фотоупругие константы, а также приведены данные о величине акустооптического качества оптически изотропных материалов. Рассмотрены перспективы создания на основе указанных сплавов акустооптических приборов для ближнего, среднего и дальнего инфракрасного диапазона электромагнитного спектра. Приведены параметры акустооптической ячейки, созданной на основе стекла Si20Te80 и работающей на длине волны света 3,39 мкм.
Страницы: 31-37
Список источников

 

  1. Балакший В.И., Парыгин В.Н., Чирков Л.Е. Физические основы акустооптики. М.: Радио и связь. 1985.
  2. Xu J., Stroud R. Acousto-Optic Devices. NewYork: Wiley. 1992.
  3. Yariv A., Yeh P. Optical Waves in Crystals. NewYork: Wiley. 1982.
  4. Fox A.J. Acoustooptic figure of merit for single crystal germanium at 10.6 μm wavelength // Appl. Opt. 1985. V. 24. № 12. P. 2040−2041.
  5. Suhre D., Villa E. Imaging spectroradiometer for the 8‑12 μm region with 3−1 passband acousto-optic tunable filter // Appl. Opt. 1998. V. 37. P. 2340−2345.
  6. Singh N.B., Suhre D., Gupta N., Rosch W.Gottlieb M., Performance of TAS crystal for AOTF imaging // J. Cryst. Growth. 2001. V. 225. P. 124−128.
  7. Knuteson D.J., Singh N.B., Gottlieb M., Suhre D., Gupta N. Crystal growth, fabrication and design of mercurous bromide acousto-optic tunable filters // Opt. Eng. 2007. V. 46. P. 064001−064010.
  8. Kim J., Trivedi S.B., Soos J., Gupta N., Palosz W. Growth of Hg2Cl2and Hg2Br2 single crystals by physical vapor transport // J. Cryst. Growth. 2008. V. 310. P. 2457−2463.
  9. Voloshinov V.B., Balakshy V.I., Kulakova L.A., Gupta N. Acousto-optic properties of tellurium that are useful in anisotropic diffraction // J. Opt. A: PureAppl. Opt. 2008. V. 10. P. 095002−095010.
  10. Волошинов В.Б., Балакший В.И., Кулакова Л.А., Князев Г.А. Исследование акустооптических свойств кристаллов теллура в режиме анизотропной дифракции света // ЖТФ. 2008. Т. 105. № 10. С. 118−125.
  11. Voloshinov V.B., Gupta N., Knyazev G.A., Polikarpova N.V. An acousto-optic X−Y deflector based on close-to-axis propagation of light in the single crystal tellurium // J. Opt. 2011. V. 13. P. 015706−015713.
  12. Gupta N., Voloshinov V.B., Knyazev G.A., Kulakova L.A. Tunable wide angle acousto-optic filter applying single crystal tellurium // Journal of Optics. 2011. V. 14. P. 035502−035511.
  13. Акустические кристаллы. Справочник / Под ред. М.П. Шаскольской. М.: Наука. 1982.
  14. Кулакова Л.А., Мелех Б.Т., Бахарев В.И., Кудоярова В. Синтез и физические свойства Si(Ge)-Se-Te стекол // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. № 7. С. 822−826.
  15. Грудинкин С.А., Бахарев В.И., Егоров В.М., Мелех Б.Т., Голубев В.Г. Кристаллизационная способность, оптические и электрические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников Ge10 (Se−Te)90 и Ge30 (Se−Te)70 // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. № 11. С. 1520−1525.
  16. Кулакова Л.А., Мелех Б.Т., Грудинкин С.А., Данилов А.П.Ge−Se−Te- и Ge−Te−Se−S‑сплавы - новые материалы для акустооптических устройств ближнего, среднего и дальнего инфракрасных диапазонов // Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47. № 10. С. 1435−1439.