350 руб
Журнал «Радиотехника» №10 за 2014 г.
Статья в номере:
Применение ближнеполевого сканирующего СВЧ микроскопа для исследования распределения концентрации носителей заряда и электрического поля в арсенид-галлиевом диоде Ганна
Ключевые слова: ближнеполевая сканирующая СВЧ-микроскопия диод Ганна коэффициент диффузии подвижность
Авторы:
Д.А. Усанов - академик МАН ВШ, д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой «Физика твердого тела», Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского. E-mail: UsanovDA@info.sgu.ru С.С. Горбатов - д.ф.-м.н., профессор, кафедра «Физика твердого тела», Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского. E-mail: Gorba@yandex.ru А.В. Фадеев - аспирант, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского. E-mail: Fadey24@mail.ru
Аннотация:
Проведены численные расчеты распределения электрического поля и концентрации носителей заряда в диоде Ганна с использованием ЭВМ, а также экспериментальные исследования этих характеристик с помощью ближнеполевого сканирующего СВЧ-микроскопа. Показана принципиальная важность учета зависимости коэффициента диффузии основных носителей заряда от электрического поля при описании протекающих в диодах Ганна процессов. Установлено, что численные результаты качественно согласуются с экспериментом.
Страницы: 74-77
Список источников

  1. Усанов Д.А., Горбатов С.С., Кваско В.Ю. Измерение подвижности и концентрации носителей заряда в арсенид-галлиевом диоде Ганна с помощью ближнеполевого СВЧ-микроскопа // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. 2013. Т. 56, № 11. С. 25-32.
  2. Усанов Д.А., Горбатов С.С., Кваско В.Ю. Ближнеполевой СВЧ-микроскоп с низкоразмерным резонатором типа "индуктивная диафрагма - емкостная диафрагма" // Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. 2010. Вып.6. С. 66-69.
  3. Усанов Д.А., Горбатов С.С., Скрипаль А.В. Особенности низкочастотной генерации в диодах Ганна // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. 1981, Т. 24. №10. С. 67-69.
  4. Murayama K., Ohmi T. Static negative resistance in highly doped Gunn diodes and application to switching and amplification // Japan J. Appl. Phys. 1973. V. 12, № 12. P. 1931-1940.
  5. Барейкис В. Электроны в полупроводниках. Вып.3. Диффузия горячих электронов. / под ред. Ю. Пожелы. Вильнюс: Мокслас. 1981. 212 с.
  6. Адирович Э.И. Токи двойной инжекции в полупроводниках / под ред. Е. И. Гальперина. М.: Сов. радио. 1978. 320 с.