350 руб
Журнал «Радиотехника» №10 за 2014 г.
Статья в номере:
Электродинамические характеристики волновода с пластиной полупроводника при температурно-электрической неустойчивости
Ключевые слова: полупроводник микроволновое излучение неустойчивость электрическое и магнитное поля
Авторы:
В.В. Антонов - к.ф.-м.н, доцент, кафедра «Радиоэлектроника и телекоммуникации», Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю.А. E mail: Antonov 1946 @ mail.ru А.А. Димитрюк - д.т.н., профессор, кафедра «Радиоэлектроника и телекоммуникации», Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю.А. E-mail: sansand@mail.ru
Аннотация:
Рассмотрен процесс взаимодействия микроволнового излучения с неоднородным полупроводником, распределение концентрации носителей заряда в котором управляется внешним электрическим и магнитным полями. Показано, что коэффициенты отражения и затухания микроволнового излучения от пластины полупроводника в волноводе существенно зависят от концентрации донорных примесей и значений электрического и магнитного полей.
Страницы: 14-17
Список источников

  1. Гинзбург В.Л. Распространение электромагнитных волн в плазме. М.: Наука. 1967. 683 с.
  2. Антонов В.В., Кац Л.И.Температурно-электрическая неустойчивость InSb в постоянном электрическом поле //Физика и техника полупроводников. 1982. Т.16, Вып. 6. С. 1050-1053.
  3. Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1975. 584 с.
  4. Дульнев А.Б. Теплообмен в радиоэлектронных устройствах. М.: Госэнергоиздат, 1963. 288 с.