Афанасьев М.С., Базлов А.Н., Губанков В.Н., Котелянский И.М., Шахунов В.А.

Приведены результаты исследований роста двухсторонних монокристаллических пленок высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) толщиной до 1 мкм на подложках NdGaO3 при лазерном напылении. Показано, что использование цилиндрической реактивной камеры для лазерного напыления, обеспечивающей доступ кислорода к двум сторонам диэлектрической подложки, позволяет реализовать эпитаксиальный рост пленки ВТСП толщиной до 1 мкм с двух сторон подложки.