350 руб
Журнал «Нелинейный мир» №1 за 2016 г.
Статья в номере:
Влияние динамической кулоновской блокады на туннельные характеристики поверхности Si(111)?7x7
Ключевые слова: сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия кулоновская блокада поверхности и пленки прыжковая проводимость
Авторы:
А.Б. Одобеско - науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва). E-mail: arty@cplire.ru А.А. Майзлах - инженер, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва) С.В. Зайцев-Зотов - д.ф.-м.н., зав. лабораторией, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва)
Аннотация:
Изучена температурная зависимость туннельных вольт-амперных характеристик поверхностной структуры Si(111)?7x7 в области температур 5-80 К. Предложена феноменологическая модель, в которой туннелирование происходит как с учетом взаимодействия с окружением, так и с наличием кулоновской щели.
Страницы: 38-40
Список источников

 

  1. Levitov S., Shitov A.V. Semiclassical theory of Coulomb anomaly // JETP Letters. 66. 200 (1997).
  2. Losio R., Altmann K.N., Himpsel F.J. Fermi surface of Si(111)?7×7 // Phys. Rev. B 61. 10845 (2000).
  3. Ortega J., Flores F., Levy Yeyati A. Electron correlation effects in the Si(111)?7×7 surface // Phys. Rev. B 58. 4584 (1998).
  4. Одобеско А.Б., Зайцев-Зотов С.В. Электронный транспорт в сильно коррелированной двумерной системе Si(111)?7×7 // Нелинейный мир. 2014. Т. 12. № 2. С. 22-25.
  5. Modesti S., Gutzmann H., Wiebe J., Wiesendanger R. Correction of systematic errors in scanning tunneling spectra on semiconductor surfaces: The energy gap of Si(111)?7×7 at 0,3 K // Phys. Rev. B 80. 125326 (2009).
  6. Odobescu A.B., Maizlakh A.A., Zaitsev-Zotov S.V. Electron correlation effects in transport and tunneling spectroscopy of the Si(111)−7×7 surface // Phys.Rev. B 92. 165313 (2015).
  7. Joyez P., Esteve D. Single-electron tunneling at high temperature // Phys. Rev. B 56. 1848 (1997).