350 руб
Журнал «Нелинейный мир» №2 за 2014 г.
Статья в номере:
Определение высокочастотных параметров сверхпроводниковых тонкопленочных структур
Ключевые слова: туннельный СИС переход расчёт согласования интегральных СВЧ-структур парметры сверхпроводниковых пленок
Авторы:
К.И. Рудаков - студент, МФТИ. E-mail: rudakov@hitech.cplire.ru В.П. Кошелец - д.ф.-м.н., зав. лабораторией 234, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: valery@hitech.cplire.ru
Аннотация:
Проведено исследование электрофизических параметров СВЧ-структур с различными материалами верхнего электрода (на основе пленок Nb, NbN, и NbTiN) с целью определения различных СВЧ-параметров этих структур с помощью численных методов расчёта и согласования СВЧ-структур. Разработаны и исследованы интегральные спектрометры в диапазоне 400-1200 ГГц с предельной (квантовой) чувствительностью. Проведены измерения тестовых образцов на основе шаблона с различными слоями верхнего электрода. Предложен и реализован способ учёта при численном расчёте паразитной ёмкости СИС (туннельный переход сверхпроводник  изолятор  сверхпроводник) и индуктивностей растекания. Определены электрофизические параметры полученных структур (лондоновская глубина проникновения для Nb-85нм, NbN-350нм, NbTiN-320нм, эффективная диэлектрическая проницаемость 4,2).
Страницы: 20-21
Список источников

  1. Gert de Lange et al. Development and Characterization of the Superconducting Integrated Receiver Channel of the TELIS Atmospheric Sounder // Supercond. Sci. Technol. 2010. V. 23. № 4. P. 8.
  2. Бароне А., Патерно Дж-Ф. Эффект Джозефсона. Физика и применения. М.: Мир. 1984.
  3. Бахарев С.И., Вольман В.И., Либ Ю.Н. и др. Справочник по расчёту и конструированию СВЧ полосковых устройств. М.: Радио и связь. 1982.