350 руб
Журнал «Нелинейный мир» №2 за 2013 г.
Статья в номере:
Разработка и изготовление интегральных сверхпроводниковых структур с туннельными СИН-переходами
Ключевые слова: двойная щелевая антенна прямая фотолитография СИН-переход болометры на холодных электронах (БХЭ)
Авторы:
Д.В. Харченко - студент, МФТИ. E-mail: dariakhar@gmail.com
Аннотация:
Рассмотрены СИН-переходы, изготовленные с использованием прямой фотолитографии, которые показали хорошую нелинейность при низких температурах.
Страницы: 104-105
Список источников
  1. Chouvaev D., Kuzmin L., Tarasov M. Normal metal hot-electron microbolometer with on-chip protection by tunnel junctions // Supercond. Sci. Technol. 1999. № 12. Р. 985-988.
  2. Otto E., Tarasov M., Kuzmin L. Direct-write trilayer technology for Al-Al2O3-Cu superconductor-insulator-normal metal tunnel junction fabrication // J.Vac.Sci.Technol. Jul/Aug 2007. V. B25(4). Р.1156-1160.
  3. Otto E., Tarasov M., Kuzmin L. Ti-TiO2-Al normal metal-insulator-superconductor tunnel junctions fabricated in direct- write technology // Supercond. Sci. Technol. 2007. № 20. Р. 865-869.
  4. Filippovic D.F., Gearhart S.S., Rebeiz G.M. Double-slot antennas on extended hemispherical and elliptical silicon dielectric lenses // IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques. 1993. № 41. Р.1738-1749.
  5. Van der Vorst M. Integrated lens antennas for submillimetre-wave applications //Ph.D. thesis. Technische Universiteit Eindhoven. 1999.