350 руб
Журнал «Нелинейный мир» №12 за 2013 г.
Статья в номере:
Связь между ИК-спектрами валентных колебаний Si-H и строением (SiH)X групп, Х = 1 - 3, в полостях гидрированного микрокристаллического кремния
Ключевые слова: гидрированный микрокристаллический кремний теория функционала плотности стабильность полостей ИК-спектры (SiH)X группы
Авторы:
А. В. Ларин - вед. науч. сотрудник, химический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова; науч. сотрудник, ООО «Плазмоника» (Сколково, Московская обл.). E-mail: nasgo@yandex.ru, 916-486-4660 А. А. Рыбаков - мл. науч. сотрудник, химический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова. E-mail: rybakovy@gmail.com
Аннотация:
Показано методами теории функционала плотности (PBE/PAW) c периодическими граничными условиями, что образование стабильных (SiH)X групп, Х = 1 - 3, в полостях гидрированного микрокристаллического кремния является следствием структуры полостей кремния. Предложена новая интерпретация ИК-спектров валентных Si-H колебаний, в которых участие (SiH)X групп ранее не учитывалось.
Страницы: 877-881
Список источников

  1. Vepřek S., Mareček V. The preparation of thin layers of Ge and Si by chemical hydrogen plasma transport // Solid. State. Electron. 1968. V. 11. № 7. P. 683-684.
  2. Despeisse M. et al. Research and developments in thin-film silicon photovoltaics // Proc. SPIE 7409, Thin Film Sol. Technol. / ed. A.E.Delahoy, L.A. Eldada. International Society for Optics and Photonics. 2009. P. 74090B-74090B-15.
  3. Ray S., Mukhopadhyay S. Structural characteristics of RF- and VHF-deposited nanocrystalline silicon films for solar cell application // Philos. Mag. 2009. V. 89. № 28-30. P. 2573-2585.
  4. Müllerová J. et al. Microstructure related optical characterization of technologically relevant hydrogenated silicon thin films // 16th Polish-Slovak-Czech Opt. Conf. Wave Quantum Asp. Contemp. Opt. / ed. A.Popiolek-Masajada, E.Jankowska, W. Urbanczyk. International Society for Optics and Photonics. 2008. P. 714103-714103-8.
  5. Shi T.S. et al. Models for the Hydrogen-Related Defect-Impurity Complexes and SiH Infrared Bands in Crystalline Silicon // Phys. status solidi (a). 1982. V. 74. № 1. P. 329-341.
  6. Cardona M. Vibrational Spectra of Hydrogen in Silicon and Germanium // Phys. status solidi (b). 1983. V. 118. № 2. P. 463-481.
  7. Lucovsky G., Nemanich R., Knights J. Structural interpretation of the vibrational spectra of a-Si: H alloys // Phys. Rev. B. 1979. V. 19.№ 4. P. 2064-2073.
  8. Pfanner G. et al. Ab initio EPR parameters for dangling-bond defect complexes in silicon: Effect of Jahn-Teller distortion // Phys. Rev. B. 2012. V. 85. № 19. P. 195202.
  9. Larin A.V. The Loewenstein rule: the increase in electron kinetic energy as the reason for instability of Al-O?Al linkage in aluminosilicate zeolites // Phys. Chem. Miner. 2013. V. 40. № 10. P. 771-780.
  10. Mahan A. et al. Characterization of microvoids in device-quality hydrogenated amorphous silicon by small-angle x-ray scattering and infrared measurements // Phys. Rev. B. 1989. V. 40. № 17. P. 12024-12027.
  11. Kresse G., Hafner J. (а) Ab initio molecular dynamics for liquid metals // Phys. Rev. B. 1993. V. 47. № 1. P. 558-561;Kresse G., Furthmüller J. (б) Efficient iterative schemes for ab initio total-energy calculations using a plane-wave basis set // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. № 16. P. 11169-11186.
  12. Johnson E.V., Kroely L., Roca i Cabarrocas P. Raman scattering analysis of SiH bond stretching modes in hydrogenated microcrystalline silicon for use in thin-film photovoltaics // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2009. V. 93. № 10. P. 1904-1906.
  13. Kageyama S., Akagawa M., Fujiwara H. Dielectric function of a-Si:H based on local network structures // Phys. Rev. B. 2011. V. 83. № 19. P. 195205.
  14. Baum J. et al. Multiple-Quantum NMR Study of Clustering in Hydrogenated Amorphous Silicon // Phys. Rev. Lett., 1986. V. 56. № 13.P. 1377-1380.