350 руб
Журнал «Нелинейный мир» №2 за 2012 г.
Статья в номере:
Наблюдение немонотонной зависимости туннельного тока от расстояния между иглой СТМ и поверхностью Si(100)
Ключевые слова: СТМ Si(001) туннельный ток
Авторы:
О.Ю. Лахманская - студент, МФТИ; инженер, ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН. E-mail: lahmanolga@gmail.com Н.И. Федотов - студент, МФТИ; инженер, ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН. E-mail: nfedotov89@mail.ru А.Б. Одобеско - мл. науч. сотрудник, ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН. E-mail: arty@cplire.ru С.В. Зайцев-Зотов - зав. лабораторией, ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН. E-mail: serzz@cplire.ru
Аннотация:
Показана немонотонная зависимость туннельного тока от расстояния между иглой сканирующего туннельного микроскопа и поверхностью Si(001); проанализированы возможные причины возникновения такой зависимости и предложена модель, связывающая ее появление с емкостными эффектами вследствие изменения потенциала поверхности при приближении иглы СТМ
Страницы: 86-88
Список источников
  1. Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Курс теоретической физики. Изд. 6-е, испр. М.:ФИЗМАТЛИТ. 2004.
  2. Martyna Polok, Dmitry V. Fedorov, Alexei Bagrets, Peter Zahn, Ingrid Mertig Evaluation of conduction eigenchannels of an adatom probed by an STM tip // Phys. Rev. B. 2011. V. 83. P. 245426.