350 руб
Журнал «Нелинейный мир» №2 за 2011 г.
Статья в номере:
Гигантское магнитосопротивление многослойных гетероструктур на основе GaAs/AlGaAs с широким туннельным барьером
Ключевые слова: туннелирование низкие температуры магнитосопротивление
Авторы:
Е.Н. Морозова - мл. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН E-mail: elena.morozova@gmail.com В.А. Волков - д.ф.-м.н., гл. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН Ж.К. Портал - проф., Лаборатория сильных магнитных полей, Гренобль, Франция
Аннотация:
Измерено омическое сопротивление гетероструктур с широким, но низким туннельным барьером Al0.1Ga0.9As, разделяющим две квантовые ямы GaAs, в интервале магнитных полей В = 0...9 Тл, лежащих в плоскости границ раздела; выявлено, что при низких температурах (3 - 20 К) сопротивление возрастает в 10 раз в интервале полей В = 0-5 Тл и в 400 раз в интервале В = 0...9 Тл.
Страницы: 107-108
Список источников
  1. Eisenstein J. P., Gramila T. J., Pfeiffer L. N., and West K.W. Probing a two-dimensional Fermi surface by tunneling // Physical Review B. 1991. V.44. Р.6511.
  2. Smoliner J., Demmerle W., Berthold G., Gornik E., Weimann G. and Schlapp W. Momentum conservation in tunneling processes between barrier-separated 2D-electron-gas systems // Physical Review Letters. 1989. V.63. Р.2116.
  3. Berk Y., Kamenev A., Palevski A., Pfeiffer L.N. and West K.W. Resonance magnetoresistance of coupled quantum wells // Physical Review B. 1995. V.51. Р.2604.