350 руб
Журнал «Нелинейный мир» №1 за 2011 г.
Статья в номере:
Формирование нанокристаллов в аморфных кремнии и алмазе при лазерном отжиге
Ключевые слова: поликремний аморфный алмаз нанокристаллы комбинационное рассеяние света нейтронное облучение лазерный отжиг
Авторы:
А.А. Хомич - ст. инженер, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН Е-mail: antares-610@yandex.ru
Аннотация:
Изучена методом комбинационного рассеяния света происходящая при лазерном отжиге трансформация структуры пленок аморфного гидрогенизированного кремния и кристаллов алмазов, аморфизованных высокодозовым нейтронным облуче-нием; в рамках модели пространственной локализации фонона исследованы формирующиеся в аморфной матрице наноразмерные кристаллиты кремния и алмаза.
Страницы: 9-10
Список источников
  1. Esmaeili-Rad M.R., Sazonov A., Kazanskii A.G., Khomich A.A., Nathan A. Optical properties of nanocrystalline silicon deposited by PECVD // J. Mater. Sci: Mater. Electron. 2007.V. 18. № 1. Р. S405-S409.
  2. Richter H., Wang Z.P., Ley L. The one phonon Raman spectrum in microcrystalline silicon // Solid State Commun. 1981.V. 39. № 6. Р.625-629.
  3. Islam M.N., Pradhan A., and Kumar S. Effects of crystallite size distribution on the Raman-scattering profiles of silicon nanostructures // J. Appl. Phys. 2005.V.98.№ 2. Р. 024309.
  4. Хомич А.А. Проявление пространственного ограничения волновой функции фонона в спектрах КРС двухфазных слоёв гидрированного кремния // Тезисы докл.VII Междунар. конф. по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе (6-9 июля 2010 г.). Нижний Новгород. С. 108
  5. Osswald S.,Mochalin V.N., Havel M.,Yushin G., and Gogotsi Y. Phonon confinement effects in the Raman spectrum of nanodiamond // Phys. Rev. B. 2009.V. 80. № 7. Р. 075419.
  6. Johnson E.V., Kherani N.P., Zukotynski S. Raman scattering characterization of SF-PECVD-grown hydrogenated microcrystalline silicon thin films using growth surface electrical bias // J. Mater. Sci: Mater. Electron. 2006. V. 17. № 10. Р. 801-813.