Герасимов А.С., Дзбановский Н.Н., Паль А.Ф., Суетин Н.В., Трифонов А.С., Юрьев А.Ю., Солдатов Е.С., Черепанов Н.С., Щербаков С.К.

Проведено исследование дейтерированных алмазных пленок методами сканирующей туннельной микроскопии. Поскольку некоторые грани алмаза обладают отрицательным электронным сродством, то также было проведено исследование электронно-эмиссионных свойств дейтерированного алмаза. Обнаружено существенное изменение электрических и электронно-эмиссионных свойств дейтерированных легированных бором алмазных пленок, что может служить подтверждением обнаруженного ранее факта появления n- типа проводимости в результате процессов образования бор-дейтериевых комплексов в алмазе.