Крупенин В.А., Преснов Д.Е., Зорин А.Б., Васенко С.А., Нимайер Ю.

На основании экспериментальных и теоретических данных проведен анализ одноэлектронного транзисторa как электрометрa c субэлектронной чувствительностью; установлена предельная чувствительность этого устройства определяется флуктуациями фонового заряда; экспериментально показано, что основной вклад в низкочастотный шум транзистора вносят источники зарядовых флуктуаций, локализованные в области диэлектрической подложки, прилегающей к острову транзистора; исследованы шумовые характеристики серии алюминивых транзисторов с различной площадью контакта острова с Аl2O3 подложкой, изготовленные в одинаковых условиях; показана связь зарядового шума с площадью контакта острова транзистора с подложкой; предложена оригинальная стэковая конструкция транзистора, позволяющая изолировать остров от прямого контакта с подложкой и в значительной степени устранить ее шумовое влияние; получено рекордно низкое значение зарядового шума (8х10-6 е/Гц1/2 на частоте 10 Гц) В транзисторах новой геометрии.