350 руб
Журнал «Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век» №4 за 2015 г.
Статья в номере:
Расщепление линий генерации газоразрядных лазеров на парах таллия, галлия и индия*
Авторы:
И.Г. Иванов - д.ф.-м.н., профессор, кафедра квантовой радиофизики, физический факультет, ЮФУ (г. Ростов-на-Дону). E-mail: ig.ivanov@mail.ru А.М. Бессмертный - студент, физический факультет, ЮФУ (г. Ростов-на-Дону). E-mail: bes93@mail.ru
Аннотация:
Представлены результаты расчетов и измерений частотной структуры ионных лазерных линий таллия (λ = 594,9 нм и λ = 695 нм, TlII), галлия (λ = 633,4 нм, GaII) и индия (λ = 768,5 нм и λ = 689,3 нм, InII). Показано, что данное структурирование вызвано сверхтонким расщеплением верхних и нижних лазерных уровней на несколько подуровней, а также сдвигом подуровней за счет объемного изотопического эффекта для различных изотопов, содержащихся в естественной смеси каждого металла.
Страницы: 40-43
Список источников

 

  1. Рязанов А.В., Иванов И.Г.Энергетические характеристики ионных лазерных переходов селена при импульсной накачке // Электромагнитные волны и электронные системы. 2014. Т. 29. № 9. С. 72−76.
  2. Зинченко С.П., Иванов И.Г. Импульсные ионные лазеры с полым катодом: параметры накачки и генерации // Квантовая электроника. 2012. Т. 42. № 6. С. 518−523.
  3. Ryazanov A.V., Ivanov I.G., Privalov V.E. About Creation of Population Inversion in Mixture of Inert Noble Gas and Metal Vapor // Optical Memory and Neural Networks (Information Optics). 2014. V. 23. № 3. P. 177−184.
  4. Radzig A.A., Smirnov B.M. Reference Data on Atoms, Molecules and Ions. Heidelberg: Springer. 1985. 474 p.