350 руб
Журнал «Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век» №1 за 2015 г.
Статья в номере:
Вклады гетерограницы в параметры спин-орбитального взаимодействия для электронов на гетерогранице (001) GaAs/AlGaAs
Авторы:
Ж.А. Девизорова - аспирант, Московский физико-технический институт (ГУ). Е-mail: DevizorovaZhanna@gmail.com
В.А. Волков - д.ф.-м.н., гл. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Аннотация:
Исследованы механизмы спинового расщепления спектра двумерных электронов в асимметричной квантовой яме GaAs/AlGaAs. Показано, что интерфейсное спин-орбитальное взаимодействие заметно компенсирует вклад объемного механизма Дрессельхауза и усиливает вклад механизма Бычкова-Рашбы. В наклонном квантующем магнитном поле найдены аналитические выражения для компонент тензора g-фактора и его производных по модулю квантующей компоненты поля. Результаты согласуются с экспериментом.
Страницы: 45-46
Список источников
- Девизорова Ж.А., Щепетильников А.В., Нефедов Ю.А., Волков В.А, Кукушкин И.В. Интерфейсные вклады в параметры спин-орбитального взаимодействия для электронов на интерфейсе (001) GaAs/AlGaAs // Письма в ЖЭТФ. 2014. Т.100. Вып.2. С.111‑117.
- Nefyodov Yu.A., Shchepetilnikov A.V., Kukushkin I.V.et al. Electron g-factor anisotropy in GaAs/Al1−xGaxAs quantum wells of different symmetry // Phys. Rev. B. 2011. V. 84. P. 233302.