350 руб
Журнал «Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век» №4 за 2014 г.
Статья в номере:
Результаты разработки технологии резки монокристаллов карбида кремния
Ключевые слова:
карбид кремния (SiC)
монокристаллы карбид кремния
полуизолирующие подложки
качество подложек
многопроволочная резка монокристаллов
Авторы:
В.В. Попов - к.т.н., ген. директор, ОАО «Светлана», Санкт-Петербург
В.Н. Вьюгинов - к. ф.-м. н., директор, ЗАО «Светлана-Электронприбор», Санкт-Петербург
E-mail: mail@svetlana-ep.ru
Н.К. Травин - вед. инженер-технолог, ЗАО «Светлана-Электронприбор», Санкт-Петербург
E-mail: travin@svetlana-ep.ru
Аннотация:
Проведен анализ рынка и выбрано оборудование для резки монокристаллов SiC. Оптимизирована технология резки монокри-сталлов SiC диаметром 3 дюйма. Показано, что достигнутые в работе параметры прогиба и коробления подложек не превышают 17 мкм, разброс по толщине подложек после резки не превышает 20 мкм.
Страницы: 4-7
Список источников
- http://www.meyerburger.com
- http://www.gti-usa.com/semiconductor/semi_takatori_wiresaw_45SN.aspx