В.А. Горячев - к.ф.-м.н., вед. науч. сотрудник, НИИСИ РАН

Для проектирования высокопроизводительных КНИ КМОП микропроцессоров с низкой мощностью рассмотрены отдельные особенности применения германия в конструкционных элементах ИС. Дано представление об усовершенствованиях в технологических процессах создания микро- и наноконструкций: планарных и нитевидных нанокристаллов германия с гетеропереходами Ge-Si. Отмечены характеристики физических эффектов в различных технологиях. Сделан вывод о возможности производства Ge-Si КМОП ИС, совместимого с традиционными технологиями микро- и наноэлектроники.

1. http://books.ifmo.ru/file/pdf/228.pdf
2. http://www.caravan.ru/about/press/white-paper/58/
3. Гайдук П.И.,  Ларсен А.Н., Норманд П., Клавари А. Формирование нанокристаллов Ge в слоях Si0₂при быстрой термической обработке слоев Si/Ge // Вестник БГУ. 2007. Сер. 1. № 2. С. 46-50.
4. Настовьяк А.Г., Неизвестный И.Г., ШварцН.Л. Моделирование роста нитевидных нанокристаллов кремния с гетеропереходами Ge-Si // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2011. № 9. С. 1-9.
5. http://www.3dnews.ru/news/ibm-ocherednoy-shag-k-sistemam-s-opticheskimi-soedineniyami
6. http://www.membrana.ru/particle/3753
7. http://www.ferra.ru/click/news/http:/www.ibm.com/,http://domino.research.ibm.com/comm/research_projects.nsf/pages/photonics.apd.html 
8. http://studyamerica.ru/?action=article&ar_id=378  
9. ГорячевВ.А. Особенности германиевых технологий КМОП ИС // Труды НИИСИ РАН. 2013. Т. 3. № 1. С. 78-81.
10. ГольцоваМ. IDEM 2010 Новые процессы, новые материалы // Электроника НТБ. 2011. № 1. С. 124-134.
11. http://www.nanonewsnet.ru/news/2013/
12. http://www.nanosoft.ru/articles/ftian_proc_2007_vyurkov_2.doc