350 руб
Журнал «Наноматериалы и наноструктуры - XXI век» №1 за 2015 г.
Статья в номере:
Особенности образования оксидных фаз в наноструктурированных слоях на основе халькогенидов свинца
Авторы:
Е.В. Мараева - к.ф-м.н., Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ). Е-mail: jenvmar@mail.ru
Аннотация:
Проведено комплексное исследование фазовых равновесий, возникающих в системе Pb-S-O, методами равновесной геометрической термодинамики, в частности, методом диаграмм парциальных давлений и методом триангуляции. Определен фазовой состав нанодисперсных материалов на основе сульфида свинца, полученных методом осаждения из водных растворов при последующем отжиге.
Страницы: 41-44
Список источников

 

  1. Абрикосов Н.Х., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений АIVВVI. М.: Наука. 1975. 195 c.
  2. Буткевич В.Г., Бочков В.Д., Глобус Е.Р. Фотоприемники и фотоприемные устройства на основе поликристаллических и эпитаксиальных халькогенидов слоев свинца // Прикладная физика. 2001. № 6. С. 66-112.
  3. Александрова О.А., Максимов А.И., Мошников В.А., Чеснокова Д.Б. Халькогениды и оксиды элементов IV группы. Получение, исследование, применение / под ред. В.А. Мошникова. СПб.: Технолит. 2008. 240 с.
  4. Горбунов Н.И., Варфоломеев С.П., Дийков Л.К., Медведев Ф.К. Новые оптоэлектронные датчики пламени // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2005. № 2. С. 30-33.
  5. Зломанов В.П.Получение и исследование некоторых физико-химических свойств селенида свинца. Автореферат дисс. - канд. хим. наук. М. 1962.
  6. Андреев С.И., Камчатка М.И. Физико-химический анализ процессов получения фоточувствительных слоев на основе сульфида свинца // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». 1994. Вып. 471. С. 55-60.
  7. Олеск С.А., Пихтин А.Н., Юнович А.Э. Механизмы излучательной рекомбинации в селениде свинца вблизи комнатной температуры // Физика и техника полупроводников. 1990. Т. 24. Вып. 5. С. 795-799.