350 руб
Журнал «Наноматериалы и наноструктуры - XXI век» №4 за 2014 г.
Статья в номере:
Наноразмерные светоизлучающие кремниевые структуры SOI/N(Gе QDS-Si) в дисковых микрорезонаторах
Ключевые слова: дисковый резонатор микрорезонатор моды шепчущей галереи микро-фотолюминесценция светоизлучающие структуры SOI/Ge(Si)
Авторы:
С.М. Сергеев - Институт физики микроструктур РАН (г. Нижний Новгород). Email: sj@ipmras.ru М.В. Степихова - к.ф.-м.н., Институт физики микроструктур РАН (г. Нижний Новгород). E-mail: mst@ipmras.ru А.В. Новиков - к.ф.-м.н., Институт физики микроструктур РАН (г. Нижний Новгород). E-mail: anov@ipmras.ru В.А. Вербус - к.ф.-м.н., Институт физики микроструктур РАН (г. Нижний Новгород). E-mail: verbus@ipmras.ru Е.В. Скороходов - Институт физики микроструктур РАН (г. Нижний Новгород). E-mail: evgeny@ipmras.ru Й. Шиллинг - д., профессор, Университет им. Мартина Лютера (Галле-Виттенберг, Германия). E-mail: joerg.schilling@physik.uni-halle.de
Аннотация:
Методом микро-фотолюминесценции исследованы дисковые резонаторы, сформированные на базе светоизлучающих наноразмерных структур SOI/n(Ge QDs-Si). Приведены результаты теоретического расчета развиваемых микрорезонаторов, определены значения их добротности. Показано, что для дисковых микрорезонаторов SOI/n(Ge QDs-Si) с диаметрами 30 и 40 мкм экспериментально полученные значения добротности составили Q ~ 300-500.
Страницы: 43-46
Список источников

 

  1. Vahala K.J. // Nature. 2003. V. 424. Р. 839.
  2. Daldosso N., Pavesi L. // Laser & Photon. Rev. 2009. V. 3. № 6. Р. 508.
  3. Krasilnik Z.F., Novikov A.V., Lobanov D.N., et al. // Semicond. Sci. Technol. 2011. V. 26.Р. 014029.
  4. Lobanov D.N., Novikov A.V., Kudryavtsev K.E., et al. // Semiconductors. 2012. V. 46. № 11. Р. 1418.
  5. Ghyselen B., Hartmann J.-M., Ernst T., Aulnette C., et al. // Solid-State Electron. 2004. V. 48. Р. 1285.
  6. http://www.comsol.com (дата обращения: 25.12.2014)
  7. Виноградов А.В.,. Ораевский А.Н. // Соросовский образовательный журнал. 2001. № 7(2). С. 96.