Ю.Ф. Иванов - д.ф.-м.н., профессор, вед. науч. сотрудник, Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск. Е-mail: yufi55@mail.ru Е.А. Петрикова - аспирант, Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск. Е-mail: elizmarkova@yahoo.com А.Д. Тересов - мл. науч. сотрудник, Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск. Е-mail: tad514@sibmail.com П.В. Москвин - аспирант, Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск. Е-mail: pavelmoskvin@mail.ru Е.А. Будовских - науч. сотрудник, Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск. Е-mail: yufi55@mail.ru Н.Н. Коваль - д.т.н., профессор, вед. науч. сотрудник, Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск. Е-mail: elizmarkova@yahoo.com Н.В. Бибик - аспирант, Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь. Е-mail: Cherenda@bsu.by Н.Н. Черенда - к.ф.-м.н., доцент, Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь. Е-mail: Cherenda@bsu.by В.В. Углов - д.ф.-м.н., профессор, Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь. Е-mail: Uglov@bsu.by

Методами электронной сканирующей и дифракционной просвечивающей микроскопии, рентгеноструктурного анализа, проведены исследования состояния поверхностного слоя силумина эвтектоидного состава, подвергнутого обработке высокоинтенсивным электронным пучком и потоками плазмы; выявлены режимы электронно-ионно-плаз-менной обработки, позволяющие формировать в поверхностном слое субмикро- и наноразмерную многофазную структуру, прочностные (микротвердость) характеристики которой кратно превышают соответствующие для исходного материала.