350 руб
Журнал «Наноматериалы и наноструктуры - XXI век» №4 за 2012 г.
Статья в номере:
Структура наноразмерных пленок углерода и карбида кремния на кремнии, полученных магнетронным и ионно-лучевым распылением мишени
Ключевые слова: углеродная пленка карбид кремния магнетронное распыление ионно-лучевое распыление структура
Авторы:
И.К. Бейсембетов - д.э.н., профессор, ректор, Казахстанско-Британский технический университет (Алматы). Е-mail: rector@kbtu.kz К.Х. Нусупов - д.ф-м.н., профессор, Казахстанско-Британский технический университет (Алматы). Е-mail: rich-famouskair@mail.ru Н.Б. Бейсенханов - к.ф-м.н., вед. науч. сотрудник, Казахстанско-Британский технический университет (Алматы). Е-mail: beisen@mail.ru С.К. Жариков - к.ф-м.н., вед. науч. сотрудник, Казахстанско-Британский технический университет (Алматы). Е-mail: zharikov55@mail.ru Б.К. Кенжалиев - д.т.н., профессор, Казахстанско-Британский технический университет (Алматы). Е-mail: bagdaulet_k@mail.ru Т.К. Ахметов - аспирант, Казахстанско-Британский технический университет (Алматы). Е-mail: timurah@mail.ru Р. Ивлев - аспирант, Казахстанско-Британский технический университет (Алматы). Е-mail: timurah@mail.ru
Аннотация:
Исследована структура наноразмерных алмазоподобных углеродных пленок, полученных на поверхности кремния методом магнетронного распыления графита и пленки β-SiC полученной путем синтеза при ионно-лучевом распылении двухкомпонентной мишени кремния и графита; проведено математическое моделирование результаты которого согласуются с экспериментальными.
Страницы: 30-35
Список источников
  1. Liao F., Girshick S.L., Mook W.M., et al. //Appl. Phys. Lett. 2005. Vl. 86. P.171913.
  2. Oguri K., Sekigawa T. // United State Patent. Sep.16, 2004. Pub. № US 2004/0180242 A1.
  3. Lebedev A.A., Nelson D.K., Razbirin B.S., et al. //Semiconductors.2005. V. 39, iss.10. P. 1194.
  4. Nishino S., Jacob C., Okui Y.//Journal of Crystal Growth. 2002. 237-239. P. 1250.
  5. Kerdiles S., Rizk R., Gourbilleau F., et al. // Mater.Sci.Eng. B. 2000. V.69. P. 530.
  6. Sun Y., Miyasato T.J.// J. Appl. Phys. 1998. V. 84 (5). P.2602.
  7. Spillman H., Wilmott P.R. // Applied Physics. A.Materials Science & Processing. V. 70. Iss. 3. P. 32.
  8. George V.C., Das A., Roy M., et al.// Thin Solid Films. 2002. V. 419. P. 114.
  9. Pajagopalan T., Wang X., Lanthouh B., Ramkumar C.// J. Appl. Phys. 2003. V. 94. Iss. 3. P. 5252.
  10. Fissel A., Schroter B., Kaiser U., Richter W.// Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. P. 2418.
  11. Semenov A.V.,Lopin A.V.,Puzikov V.M., et al.// Semiconductors. 2010. V. 44. Iss. 6. P. 816.
  12. Lee C., Lim K. S. //Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. № 1. P. 106.
  13. Breskin A., Chechik R., Shefer E., et al. //Appl. Phys. Lett. 1997. V. 70, № 25 P. 3446.
  14. Лузин А.Н.// В кн.: Рост и легирование полупровод-никовых кристаллов и пленок. Новосибирск. 1977. С. 230.
  15. Лузин А.Н., Мендрин Л.Л., Попов А.В. // В кн.: Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск. 1977. С. 233.
  16. Чайковский Э.Ф., Пузиков В.М., Розенберг Г.Х. и др.// В сб.: Научные труды ВНИИ монокристаллов, сцинтилля-ционных материалов и особочистых химических ве-ществ. 1984. № 12. С. 6.
  17. Touryanski A.G., Vinogradov A.V., Pirshin I.V. // Patent no. 6041098. US Cl. 378-70. Official Gazette March 21. 2000. P. 2960.
  18. Tурьянский А., Герасименко Н., Пиршин И., Сенков В. // Наноиндустрия. 2009. 5. С. 40.
  19.  Henke B.L., Gullikson E.M., Davis J.C.//Atomic Data and Nuclear Data Tables. 1993. V.54, № 2. (http: // henke.lbl.gov/optical_constants/). P. 181.