350 руб
Журнал «Наноматериалы и наноструктуры - XXI век» №2 за 2012 г.
Статья в номере:
Технологические особенности формирования катодных узлов автоэмиссионных и туннельных нано- и микроприборов
Ключевые слова: электронная эмиссия туннельный ток катодный узел туннельный преобразователь силицид платины термический отжиг
Авторы:
Н.Н. Балан - к.т.н., гл. специалист, ФГУП «ВО «Внештехника», г. Москва. Е-mail: nikita.balan@gmail.com Е.Н. Ивашов - д.т.н., профессор, Московский государственный институт электроники и математики (технический университет). Е-mail: ienmiem@mail.ru П.А. Лучников - зав. лабораторией, «НИИ «Информатика», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: fisika@mail.ru А.Б. Невский - к.т.н., гл. специалист, ОАО «Базовые технологии», г. Москва. Е-mail: albornevsky@gmail.com
Аннотация:
Рассмотрены конструкции и особенности технологии изготовления перспективных острийных катодов туннельных и автоэмиссионных микроприборов, выполняемых по кремниевой технологии, а также эмиттеров на основе наноструктурированных углеродных материалов. Приведены основные характеристики и технологические режимы формирования электродных покрытий с использованием силицида платины в качестве основного электродного слоя эмиттера.
Страницы: 35-43
Список источников
  1. Zhu W. Vacuum Microelectronics. Nеw York: Wiley-Interscience. 2001.
  2. Дюжев Н.А., Махиборода М.А., Скворцов В.Э. Электронно-лучевой микродисплей высокого разрешения на базе кремниевого автоэмиссионного нанокатода // Первый международный форум по нанотехнологиям. Москва. 2008.
  3. Трубецков Д.И., Храмов А.Е.  Лекции по сверхвысоко­частотной электронике для физиков. М.: Физматлит. 2003.
  4. Srivastava V.THz Vacuum microelectronic devices // Proceedings of the International Symposium on «Vacuum Science and Technology» (IVS 2007) // Journal of Physics: Conference Series. 2008. Р. 114.
  5. Zhiyu Wen, Ying Wu, Zhcngyuan Zhang, Shilu Xu, Shanglian Huang, Youli Li Development of an integrated vacuum microelectronic tactile sensor array // Sensors and Actuators A. 2003. V. 103. Р. 301-306.
  6. Cruz S., Lee K., Ponnavolu D.Tunneling accelerometers. 2004.
  7. http://clifton.mech.northwestern.edu/~me381/project/done/Accelerometer.pdf
  8. Kenny T.W., Kaiser W.J., Waltman S.B., Reynolds J.K. Novel Infrared Detector Based on a Tunneling Displacement Transducer // Applied Physics Letters. 1991. V. 59(15). P. 7.
  9. DiLella D., Whitman L.J., Colton R.J., Kenny T.W., Kaiser W.J., Vote E.C., Podosek J.A., Miller L.M. A Micro-machined Magnetic-Field Sensor Based on an Electron Tunneling Displacement Transducer // Sensors and Actua-tors. 2000. V. 86. Р. 8-20.
  10. Liu C.H. and Kenny T.A.High-Precision, Wide-Bandwidth Micromachined Tunneling Accelerometer // Journal of microelectromechanical systems. 2001. V. 10. № 3.
  11. Шашкин В.И., Востоков Н.В., Вопилкин Н.А., Климов А.Ю., Волгунов Д.Г., Рогов В.В., Лазарев С.Г. О возможных конструкциях датчиков туннельно-эмиссионных акселеро-метров // Микросистемная техника. 2003. № 5.
  12. Alexenko A.G.,. Ananyan M.A, Dshkhunyan V.L., Kolomeit-
    zev V.F., Luskinovich P.N., Nevsky A.B., Orlov O.A.     Tunnel effect nanodetector of mechanical vibrations and method for preparation thereof. United States Patent. US 6,829,941 B2. Dec. 14. 2004.
  13. Балан Н.Н.Разработка и оптимизация конструктивных и технологических решений туннельных нанопреобразо-вателей // Автореферат на соиск. уч. степени к.т.н. М.: МИЭМ. 2010.
  14. Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электро­ника. М.: Наука. 1966.
  15. Жукова С.А., Обижаев Д.Ю., Гринькин Е.А. Микро­электромеханические компоненты туннельных акселеро­метров // Материалы Междунар. школы-конф. «МО-ЛОДЫЕ УЧЕНЫЕ-2008». 10-13 ноября 2008 г. Москва. М.: Энергоатомиздат. 2008. Ч. 1. С. 173-176.
  16. Spindt C.A., et al.Physical properties of thin-film field emission cathodes with molybdenum cones // Journal of Applied Physics. 1976. V. 47. № 12. Р. 5248-5263.
  17. Agache V., Ringot R., Bigotte P., Senez V., Legrand B., Buchailot L., Collard D. Modeling and experimental validation of sharpening mechanism based on thermal oxidation for fabrication of ultra-sharp silicon nanotips // IEEE Trans. on Nanotechnology. 2005. V. 4. № 5. Р 548-554.
  18. Djuzhev N.A., Beliaev S.N., Vlasenko V.A., Gogin A.A., Gontar V.M., Deniskin V.V., Mazaev A.A., Nevsky A.B., Tishin Y.I., Shokin A.N. A Silicon Gated Field Edge Cathode // The 16th International Vacuum Microelectronics Conference. 2003. Senri Life Science Center. Osaka. Japan. 2003. Р. 177-178.
  19. Дюжев Н.А., Махиборода М.А., Федирко В.Л. Иссле­дование различных режимов автоэлектронной эмиссии кремниевого кантилевера // Материалы 14-й научн.-технич. конф. «Вакуумная наука и техника» (под ред.
    В. А. Быкова). М.: МИЭМ. 2007. С. 248-251.
  20. Раков Э.Г.Химия и применение углеродных нанотрубок // Успехи химии. 2001. Т. 70. С. 934.
  21. Елецкий А.В. Углеродные нанотрубки и их эмиссионные свойства // Успехи физических наук. 2002. Т. 172. С. 401.
  22. Bonard J.M., Kind H., Stockli T., Nilsson L.O. Field emission from carbon nanotubes: the first five years // Solid- State Electronics. 2001. V. 45. Р. 893.
  23. Образцов А.Н., Павловский И. Ю., Волков А.П. Авто-электронная эмиссия в графитоподобных пленках // ЖТФ. 2001. Т. 71. № В 11. С. 89-95.
  24. Покровский Я.Е.Влияние поверхностных уровней на электрические свойства мелкозернистых пленок. ЖТФ. 1954. Т. 24. № В.7. С. 1229.
  25. Takashi Ikuno, Yuichi Kawano, Yang-Gyu Baek, Jeong-Tak Ryu, Mitsuhiro Katayama, Kenjiro Oura 炭素系薄膜の電界電子放出における界面金属の影響(Influence of Interface Metal on Field Emission from Carbon Film) //表面科学. 2000. V. 21. Р. 502-506.
  26. Мьюрарка Ш.  Силициды для СБИС. М.: Мир. 1986.
  27. Досталко Л.П., Баранов В.В., Шаталов В.В. Пленочные токопроводящие системы СБИС. Минск. 1989.
  28. Балан Н.Н., Груздев А.О., Невский А.Б., Гаврин С.С. Контроль структурных и электрофизических свойств пленок SiPt-металлизации электродов туннельного датчика методами сканирующей зондовой микроскопии // Научная сессия МИФИ-2006: Сб. науч. тр. Москва. 23-27 янв. 2006 г. М.: МИФИ. 2006. Т. 1. С. 70-71.
  29. Балан Н.Н., Лучников П.А., Ивашов Е.Н., Технологические принципы формирования пленочных элементов туннельного НЭМС преобразователя// Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения / под ред. чл.-корр. РАН А.С. Сигова. М.: МИРЭА-РАН. 2011. Т. 4. С. 260-267.
  30. Huang S., Li B., Zhang X. Elimination of stress-induced curvature in microcantilever infared focal plane arrays // Sensors and actuators A. 2006. V. 130-131. Р. 331-339.
  31. Жукова С.А., Обижаев Д.Ю., Жуков А.А., Бабаевский П.Г. Закономерности плазмохимического травления полиимидных «жертвенных» слоев в нано- и микроразмерных зазорах // Нано- и микросистемная техника. 2007. № 9. С. 20-25.
  32. Balan N.N., Ivashov E.N., Nevsky A.B.  Platinum silicide as electrode material of microfabricated quantum electron tunneling transducers // 11th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices EDM-2010: Book of abstracts, 30jun.-4jul. 2010. Novosibirsk, Russia: IEEE. 2010. P. 159-164.