350 руб
Журнал «Наноматериалы и наноструктуры - XXI век» №1 за 2012 г.
Статья в номере:
Исследование сборок лазеров на основе ZnSe-содержащих наноструктур с оптической связью между элементами
Авторы:
М.М. Зверев - д.ф-м.н., профессор, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: mzverev@mail.ru Р.В. Есин - студент, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: resin@mail.ru Д.В. Перегудов - к.ф-м.н., доцент, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: peregoudov@rambler.ru В.Б. Студенов - к.ф-м.н., доцент, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: studionovvalentin@rambler.ru Н.А. Гамов - инженер, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: nikich.gam@rambler.ru Е.В. Жданова - ст. преподаватель, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: e.v._zhdanova@mail.ru С.В. Иванов - д.ф-м.н., профессор, гл. науч. сотрудник, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). Е-mail: ivan@beam.ioffe.rssi.ru И.В. Седова - к.ф-м.н., ст. науч. сотрудник, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). Е-mail: irina@beam.ioffe.rssi.ru С.В. Сорокин - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). Е-mail: sorokin@beam.ioffe.rssi.ru
Аннотация:
Исследованы параметры излучения лазерной сборки на основе ZnSe-содержащих наноструктур с оптической связью между отдельными лазерами. Показано, что наличие оптической связи между элементами сборки приводит к увеличению выходной мощности, а также к сверхлинейному ее росту в зависимости от числа элементов в сборке.
Страницы: 37-42
Список источников
  1. Богданкевич О.В. Полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком // Квантовая электроника. 1994. Т. 21. № 12.
  2. Богданкевич О.В., Зверев М.М., Крюкова И.В. и др. Неохлаждаемые импульсные полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком // Квантовая электроника. 1985. № 12(7). C. 1517-1519.
  3. Уласюк В.Н. Квантоскопы. М.: Радио и связь. 1988.
  4. Богданкевич О.В., Меерович Г.А., Олихов И.М., Садчи-хин А.В. Устройства на основе полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком // Радиотехника и электроника. 1999. Т. 44. № 8. С. 901-919.
  5. Зверев М.М., Гамов Н.А., Жданова Е.В. и др. Лазер зеленого диапазона на основе ZnSe-содержащих структур  с накачкой электронным пучком с энергией менее 10 кэВ // Письма в ЖТФ. 2007. Т. 33. № 24. С. 1-7.
  6. Molva E., Accomo R., Labrunie G., Cibert J., Bodin C., Dang L.S., Fenillet G. Microgun pumped semiconductor laser // Appl. Phis. Letters. 1993. V. 62. P. 796.
  7. Herve D., Accomo R., Molva E., Vanzetti L., Paggel J.J., Sorba L., Francioci A. Microgun-pumped blue lasers // Appl. Phys.Letters. 1995. V. 67(15). № 9. Р. 2144-2146.
  8. Zverev M.M, Ivanov S.V., Gamov N.A., Zdanova E.V., Studionov V.B. Green electron-beam pumped laser arrays based on II-VI nanostructures // Phys. Status Solidi B. 2010. V. 247. № 6. Р.1561-1563.
  9. Zverev M.M., Kolomiysky A.N., Peregoudov D.V. GaАs and CdSSe electron - beam-pumped semiconductor laser arrays with optically coupled elements // Proceedings of SPIE. 2002. V. 4644. № 4. Р. 319-325.
  10. Зверев М.М., Коломийский А.Н., Перегудов Д.В. Расчет параметров многоэлементного полупроводникового лазера с накачкой электронным пучком и оптической связью между ячейками // Известия Академии наук, сер. Физическая. 2001. Т. 65. № 6. С. 865-869.
  11. Zverev M.M., Sorokin S.V. , Sedova I.V. , Peregoudov D.V., Ivanov S.V., Kop'ev P.S. High-efficiency Electron-Beam Pumped Green Semiconductor Lasers Based on Multiple Quantum Disk Sheets // Phys. stat. sol. (c). 2005. № 2(2). Р. 923.
  12. Донской Е.Н., Жданова Е.В., Залялов А.Н. и др. Распределение плотности возбуждения в полупроводниковых лазерах на основе ZnSe с накачкой электронным пучком. Квантовая электроника. 2008. Т. 38. № 12. С. 1097-1100.