350 руб
Журнал «Наноматериалы и наноструктуры - XXI век» №1 за 2012 г.
Статья в номере:
Вольт-фарадные характеристики планарных наноструктур на основе сегнетоэлектрических пленок
Ключевые слова: наноструктура вольт-фарадная характеристика ЦТС золь-гель метод
Авторы:
Э.А. Горбунов - студент, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: d_seregin@mirea.ru П.П. Лавров - студент, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: d_seregin@mirea.ru В.А. Першин - студент, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: d_seregin@mirea.ru Д.С. Серегин - к.т.н, м.н.с., Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: d_seregin@mirea.ru И.А. Хабаров - магистр, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: d_seregin@mirea.ru
Аннотация:
Исследованы вольт-фарадные характеристики (ВФХ) планарных наноструктур на основе пленок ЦТС различной толщины, сформированных золь-гель методом на подложках Si/SiO2/TiO2/Pt для различного рода функциональных гетероструктур интегральных схем.
Страницы: 18-20
Список источников
  1. Izyumskaya N., Alivov Y. -I., Cho S. -J., et al. Processing, structure, properties, and applications of PZT thin films // Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences. 2007. V. 32. Р. 111-202.
  2. Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегри¬рованные сегнетоэлектрические устройства: Моногра¬фия / Под ред. чл.-корр. РАН А.С. Сигова. М.: Энергоатомиздат. 2011.
  3. Подгорный Ю.В., Серегин Д.С., Воротилов К.А., Сигов А.С. Влияние толщины сегнетоэлектрических пленок ЦТС на  свойства петель гистерезиса // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. / Под ред. чл.-корр. РАН  А.С. Сигова. М.: МИРЭА-РАН. 2011. Т. 1. С. 59-63.
  4. Tagantsev A.K., Gerra G. Interface-induced phenomena in polarization response of ferroelectric thin films // Journal of Applied Physics. 2006. V. 100. Р. 051607.
  5. Pintilie L., Vrejoiu I., Hesse D., Alexe M. The influence of the top-contact metal on the ferroelectric properties of epitaxial ferroelectric Pb(Zr0.2Ti0.8)O3 thin films // Journal of Applied Physics. 2008. V. 104. Р. 114101.