350 руб
Журнал «Наноматериалы и наноструктуры - XXI век» №4 за 2011 г.
Статья в номере:
Влияние технологических параметров на свойства наноразмерных пленок нитрида кремния, осажденных в индуктивно-связанной плазме
Ключевые слова: пленка диэлектрик нитрид кремния химическое осаждение индуктивно-связанная плазма балочные структуры электрическая прочность коэффициент преломления
Авторы:
А.Е. Ануров - аспирант, Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет). Е-mail: anurov_aleksey@mail.ru. А.А. Данилов - инженер-исследователь, ОАО «Российские космические системы» (Москва) А.А. Жуков - д.т.н., профессор, зам. начальника центра по науке, ОАО «Российские космические системы» (Москва). Е-mail: contact@rniikp.ru
Аннотация:
Рассмотрены технологические особенности формирования слоев нитрида кремния толщиной 70-170 нм, осаждаемых методом плазмоактивируемого процесса химического осаждения из газовой фазы (ПА ХОГФ) при низком давлении. Исследованы оптические и электрические характеристики слоев нитрида кремния в зависимости от технологических режимов их получения. Показано, что электрическая прочность (1,1-1,5)?109 В/м и коэффициент преломления 1,72-1,9 в полученных диэлектрических пленках нитрида кремния, не уступают параметрам пленок, полученных высокотемпературными методами
Страницы: 43-47
Список источников
  1. Ковалгин А.Ю. Исследоввание процессов плазмохимического осаждения пленок нитрида кремния // Автореф. дисс. на соиск. уч. ст. к.т.н. СПб. 1995.
  2. Обижаев Д.Ю. Структура и свойства функциональных слоев нитрида кремния на различных стадиях их формирования в технологии устройств нано- и микросистемной техники // Автореф. дисс. на соиск. уч. ст. к.т.н. М. 2007.
  3. Киреев В., Столяров А. Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы. М.: Техносфера. 2006.
  4. Гриценко В. Атомная структура аморфных нестехиометрических оксидов и нитридов кремния // Успехи физических наук. 2008. Т. 178,. № 7. С. 727-737.
  5. Получение и основные свойства пленок нитрида кремния; http://linecable.ru/content/view/444/48/.
  6. Швец В., Спесивцев Е. Эллипсометрия - прецизионный метод контроля тонкопленочных структур с субнанометровым разрешением // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4. № 3-4. С.72-84.
  7. Оптические константы: коэффициенты рефракции и экстинкции. Явление дисперсии. Диэлектрическая постоянная. http://www.nytek.ru/Article_478.html.
  8. Спектроскопическая эллипсометрия, http://www.nytek.ru/Article_3.html.
  9. Основы электротехники. Электростатика. Электрическая прочность. Online book. http://www.rza.org.ua/elteh/a-14.html.
  10. Технология СБИС / под ред. С. Зи. М.: Мир. 1986. С. 160-168.