350 руб
Журнал «Наноматериалы и наноструктуры - XXI век» №3 за 2010 г.
Статья в номере:
Масштабирование соединений КМОП СБИС при переходе к новым технологическим нормам
Ключевые слова: масштабирование локальные и глобальные межсоединения быстродействие и надежности СБИС
Авторы:
В.А. ГОРЯЧЕВ - к.ф-м.н., вед. научн. сотрудник, НИИ системных исследований РАН (Москва). Е-mail: vag@niisi.ras.ru
Аннотация:
Рассмотрены преобразования физических параметров линий связи СБИС в различных вариантах масштабирования; представлены закономерности поведения временных задержек, токов и энергетических величин при уменьшении размеров металлизации и разделительных диэлектриков; на модельном примере, характерном для неоднородности поверхности проводников в субмикронных технологиях, обсуждаются задержки и ограничения сетей проводников локальных и глобальных связей многоуровневых кристаллов; отмечены условия увеличения быстродействия нанотранзисторных СБИС без потери надежности соединений.
Страницы: 48-55
Список источников
  1. Bohr M.Interconnect Scaling - The Real Limiter to High Performance ULSI // IEDM. 1995. Р. 241-244.
  2. Бобков С.Г., Киреев В.Ю. Проблемы перехода микроэлектроники в субстананометровую область. Общие положения и литография // Нано- и микросистемная техника. 2007. № 5. С. 11-21. http://nano.extech.ru/nanoindustry/analitic.doc
  3. Денисенко В. Особенности субмикронных МОП-транзисторов // ChipNews. 2002. № 7. С. 27-37. www.chipnews.ru/html.cgi/arhiv/02_07/4.htm
  4. Горячев В.А. Маштабирование линий связи для проектирования нанотранзисторных МОП ИС // Электромагнитные волны и электронные системы. 2008. Т. 13. № 2-3. С. 111-119.
  5. Бобков С., Врублевски Э., Киреев В.,Недзвецкий В., Трепалин А., Томпсон И., Дойл Г., Хуснатдинов Н., Лабрейк Д. Возможности и особенности наноимпринтлитографии для производства интегральных микросхем // Наноиндустрия. 2007. № 3.С. 26-32. http://www.nanoindustry.su/issue/2007/3/6
  6. Patrikar R. M., Dong C. Yi, Zhuang W. Modelling interconnects with surface roughness // Microelectronics Journal. 2002.V. 33. № 11. Р. 929-934.
  7. Вялых Д.В., Федосеенко С.И. Исследование микротопологии поверхности SiO2 и Si межфазной границы Si/SiO2 в структурах SiMOx методом сканирующей туннельной микроскопии // ФТП. 1999. Т. 33. Вып. 6. С. 708-711.
  8. Schindler G., Stеinlesberger G., Engelhard M., Steinhogl W. Electrical characterization of copper interconnects with end-of-roadmap feature size // Solid-State Electronics. 2003. V. 47. Р. 1233-1236.
  9. Усикова М.А., Лучинин В.В. Методы препарирования интегральных микросхем для топологического анализа // Известия СПбГТУ (ЛЭТИ). 2009. № 1. С. 13-20.