Б.И. Якубович – к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова Национального исследовательского центра «Курчатовский институт» E-mail: yakubovich_bi@pnpi.nrcki.ru

Рассмотрен широкий класс флуктуационных процессов. Теоретически исследованы флуктуационные процессы при различном характере статистических связей между параметрами процесса. 
Флуктуации представлены в виде случайной последовательности импульсов. Вычислен спектр флуктуационного процесса в весьма общем виде: имеются статистические связи между параметрами импульса и между параметрами последовательных импульсов, функции распределения параметров заданы в общем виде. Вычислены выражения для спектров флуктуационных процессов в принципиально важных случаях. 
Получены выражения, применимые для описания спектров большого числа флуктуационных процессов, имеющих различную физическую природу. Отмечено, что результаты данной работы могут быть широко использованы при проведении как фундаментальных, так и прикладных исследований флуктуационных явлений.

1. Ван дер Зил А. Флуктуационные явления в полупроводниках. М.: ИЛ. 1961. 232 с.
2. Долуханов М.П. Флуктуационные процессы при распространении радиоволн. М.: Связь. 1971. 183 с.
3. Волновые и флуктуационные процессы в лазерах / Под ред. Ю.Л. Климонтовича. М.: Наука.1974. 415 с.
4. Колачевский Н.Н. Флуктуационные явления в ферромагнитных материалах. М.: Наука. 1985. 184 с.
5. Якубович Б.И. Электрические флуктуации в неметаллах. СПб.: Энергоатомиздат. 1999. 208 с.
6. Якубович Б.И. Электрические флуктуации в твердых телах. Germany: AV Akademikerverlag. 2013. 212 с.
7. Малахов А.Н. Флуктуации в автоколебательных системах. М.: Наука. 1968. 660 с.
8. Bonani F., Chione G. Noise in semiconductor devices, modeling and simulation. Berlin: Springer-Verlag. 2001. 212 p.
9. Hooge F.N., Kleinpenning T.G.M., Vandamme L.K.J. Experimental studies on 1/f noise // Rept.Progr.Phys. 1981. V. 44. P. 479−532.
10. Kirton M.J., Uren M.J. Noise in solid-state microstructures: A new perspective on individual defects, interface states and lowfrequency (1/f) noise // J. Adv. Phys. 1989. V. 38. № 4. P. 367−468.
11. Jones B.K. Electrical noise as a measure of quality and reliability in electronic devices // Adv. Electron. Electron. Phys. 1993. V. 87. 201−257.
12. Якубович Б.И. О природе избыточного низкочастотного шума (обзор) // Успехи прикладной физики. 2016. Т. 4. № 2. С. 127−138.
13. Fleetwood D.M. 1/f noise and defects in microelectronic materials and devices // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2015. V. 62. № 4. 1462−1486.
14. Якубович Б.И. Электрический шум и дефекты структуры твердых тел. Germany: LAP Lambert Academic Publishing. 2012. 116 с.
15. Коган Ш.М. Электронный шум и флуктуации в твердых телах. М.: Физматлит. 2009. 368 с.
16. Liu H., Lhuillier E., Guyot-Sionnest P. 1/f noise in semiconductor and metal nanocrystal solids // Appl. Phys. 2014. V. 115. № 15. 154309−154311.
17. Grüneis F. An intermittent generation–recombination process as a possible origin of 1/f fluctuations in semiconductor materials // Fluct. Noise Lett. 2017. V. 16. № 4. P. 1−24.
18. Palenskis V., Maknys K. Nature of low-frequency noise in homogeneous semiconductors // Scientific Reports. 2015. V. 5. P. 1−7.
19. Якубович Б.И. Электрические флуктуации и дефекты структуры в полупроводниках // Электромагнитные волны и электронные системы. 2012. Т. 17. № 11. С. 21−23.