350 руб
Журнал «Электромагнитные волны и электронные системы» №10 за 2014 г.
Статья в номере:
Перспективные технологии производства элементной базы телекоммуникационных устройств
Ключевые слова: технология КМОП наноэлектронное устройство наноэлектроника
Авторы:
В.Е. Драч - к.т.н., доцент, кафедра ЭИУ1-КФ, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: drach@kaluga.org А.В. Родионов - к.т.н., доцент, кафедра ЭИУ2-КФ, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: andviro@gmail.com
Аннотация:
Дан обзор основных перспективных наноэлектронных устройств, таких как туннельный полевой транзистор, одноэлектронный транзистор, полевой транзистор Мотта, клеточные автоматы на квантовых точках, атомный переключатель, спиновый транзистор, приборы на базе графена и др. Показаны их ключевые особенности и потенциальные узкие места.
Страницы: 85-92
Список источников

  1. Драч В.Е., Чухраев И.В. Диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью для субмикронных МДП-транзисторов // Радиопромышленность. 2013. № 3. С. 104−112.
  2. Luisier M., Klimeck G. Atmostic, full-band design study of InAs band-to-band tunneling field-effect transistors // Electron Device Letters. 2009. 30. 6.
  3. Slonczeski J.C. Currents, torques, and polarization factors in magnetic tunnel junctions. Physical Review B. 71. 024411. 2005.
  4. Behin-Aein B., Datta D., Salahuddin S., Datta S. Proposal for an all-spin logic device with built-in memory // Nature Nanotechnology. 2010. V. 5. № 4. P. 266‑70. doi: 10.1038/nnano.2010.31.
  5. Min H., Bistritzer R., Su J.‑J., MacDonald A.H. Room-temperature superfluidity in graphene bilayers // Phys. Rev. В78. 2008. № 12. 121401 (R)(4pp).
  6. Registera L.F., Moua X., Reddya D., Junga W., Sodemanb I., Pesinb D., Hassibib A., MacDonaldb A.H., Banerjeea S.K. Bilayer Pseudo-Spin Field Effect Transistor (BiSFET): Concepts and Critical Issues for Realization // ECS Transactions. 2012. V. 45. № 4. P. 3‑14. doi: 10.1149/1.3700447
  7. Gorgiou T., Jalil R., Belle B.D., Britnell L., Gorbachev R.V., Morozov S.V., Kim Y.‑J., Gholinia A., Haigh S.J., Makarovsky O., Eaves L., Ponomarenko L.A., Geim A.K., Novoselov K.S., Mishchenko A. Vertical field-effect transistor based on graphene-WS2 heterostructures for flexible and transparent electronics // Nature Nanotechnology. 2013. № 8. P. 100−103. doi:10.1038/nnano.2012.224