350 руб
Журнал «Электромагнитные волны и электронные системы» №1 за 2014 г.
Статья в номере:
Применение германиевых технологий в КМОП-микропроцессорах
Авторы:
В.А. Горячев - к.ф.-м.н., вед. науч. сотрудник, НИИСИ РАН
Аннотация:
Для проектирования высокопроизводительных КНИ КМОП микропроцессоров с низкой мощностью рассмотрены отдельные особенности применения германия в конструкционных элементах ИС. Дано представление об усовершенствованиях в технологических процессах создания микро- и наноконструкций: планарных и нитевидных нанокристаллов германия с гетеропереходами Ge-Si. Отмечены характеристики физических эффектов в различных технологиях. Сделан вывод о возможности производства Ge-Si КМОП ИС, совместимого с традиционными технологиями микро- и наноэлектроники.
Страницы: 58-62
Список источников
- http://books.ifmo.ru/file/pdf/228.pdf
- http://www.caravan.ru/about/press/white-paper/58/
- Гайдук П.И., Ларсен А.Н., Норманд П., Клавари А. Формирование нанокристаллов Ge в слоях Si02при быстрой термической обработке слоев Si/Ge // Вестник БГУ. 2007. Сер. 1. № 2. С. 46-50.
- Настовьяк А.Г., Неизвестный И.Г., ШварцН.Л. Моделирование роста нитевидных нанокристаллов кремния с гетеропереходами Ge-Si // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2011. № 9. С. 1-9.
- http://www.3dnews.ru/news/ibm-ocherednoy-shag-k-sistemam-s-opticheskimi-soedineniyami
- http://www.membrana.ru/particle/3753
- http://www.ferra.ru/click/news/http:/www.ibm.com/,http://domino.research.ibm.com/comm/research_projects.nsf/pages/photonics.apd.html
- http://studyamerica.ru/?action=article&ar_id=378
- ГорячевВ.А. Особенности германиевых технологий КМОП ИС // Труды НИИСИ РАН. 2013. Т. 3. № 1. С. 78-81.
- ГольцоваМ. IDEM 2010 Новые процессы, новые материалы // Электроника НТБ. 2011. № 1. С. 124-134.
- http://www.nanonewsnet.ru/news/2013/
- http://www.nanosoft.ru/articles/ftian_proc_2007_vyurkov_2.doc