В.Н. Остроушко - к.ф.-м.н., науч. сотрудник, Национальный научный центр «Харьковский физико-технический институт» Национальной академии наук Украины. E-mail: ostroushko-v@kipt.kharkov.ua

Выяснены возможности применения результатов работ по бесстолкновительному нагреву плазмы стохастическим полем к высокочастотному газовому разряду низкого давления. Рассмотрено движение электрона в стохастически заданном поле и показано, что увеличение энергии электрона определяется наличием мощности на резонансных частотах, независимо от наличия или отсутствия скачков поля, а стохастичность является только способом перевода мощности к резонансным частотам. Приведены примеры таких стационарных случайных процессов со скачками поля и без скачков, в которых энергия электрона со временем постепенно увеличивается, и таких, в которых она остается ограниченной. Проведено сравнение энергии, которую электрон может приобрести в ограниченном промежутке под действием поля при наличии и при отсутствии столкновений, и указано, что в обоих случаях хаотичность не повышает эффективности приобретения электроном энергии.