350 руб
Журнал «Электромагнитные волны и электронные системы» №5 за 2010 г.
Статья в номере:
Исследование ближнего поля, рассеянного щелью в многослойном диэлектрике
Ключевые слова: фотошаблон ФСМ математическая модель ПИУ метод Галеркина метод Кирхгофа
Авторы:
А.М. Лерер - д.ф.-м.н., проф., ЮФУ. E-mail: amlerer@sfedu.ru Г.П. Синявский - д.ф.-м.н., проф., зав. кафедрой ПЭ и КМ, физический факультет, ЮФУ. E-mail: sinyavsky@sfedu.ru Е.С. Толстолуцкая - студентка, ЮФУ С.И. Толстолуцкий - начальник сектора РНИИРС
Аннотация:
Разработана математическая модель фазосдвигающих масок (ФСМ); обосновано применение метода Кирхгофа для расчета ближнего электромагнитного поля; теоретически исследованы способы повышения разрешения фотолитографии − введение прозрачного диэлектрика между маской и подложкой с фоторезистом и применение фазосдвигающих фотошаблонов.
Страницы: 12-18
Список источников
  1. Сейсян Р.Нанолитография СБИС в экстремально дальнем вакуумном ультрафиолете. // ЖТФ. 2005. Т.75. № 5. C. 2-7 
  2. Киреев В. Технологии и оборудование для производства интегральных микросхем. Состояние и основные тенденции развития // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2004. № 7. C. 75-80.
  3. Калинченко Г.А., Лерер А.М. Электродинамическое моделирование диэлектрических решеток с помощью объемных интегральных уравнений // Радиотехника и электроника. 2003. Т.48. №11. С. 1330-1336