350 руб
Журнал «Успехи современной радиоэлектроники» №10 за 2016 г.
Статья в номере:
Численное моделирование p-n-перехода
Ключевые слова: моделирование устройства p-n-переход численный анализ
Авторы:
А.В. Дорошевич - студент, МГТУ имени Н.Э. Баумана, инженер, ОАО «Радиотехнический институт имени академика А.Л. Минца» E-mail: adoroshevich@rti-mints.ru
Аннотация:
Осуществлено численное моделирование p-n -структуры в программном средстве MATLAB. Получены основные характеристики в состоянии равновесия, такие как распределение электрического поля, электронная и дырочная плотности суммарный заряд.
Страницы: 68-73
Список источников

 

  1. Зегря Г.Г., Перель В.И. Основы физики полупроводников. М.: Физматлит. 2009.
  2. Hamid Fardi Numerical Analysis of Semiconductor PN Junctions Using MATLAB // Journal of Scientific Research & Reports. 2015.
  3. Mathworks Inc., MATLAB. 2014.
  4. Варлашов И.Б. Физико-топологическое моделирование полупроводниковых структур. 2011.С. 21-22, 37-38.
  5. Drift-Diffusion Modeling. Prepared by Dragica Vasileska Professor Arizona State University. URL: http://slideplayer.com/slide/6427683
  6. William R. Frensley Scharfetter-Gummel Discretization Scheme for Drift-Diffusion Equations. 2004. April.
  7. Jinn-Liang Liu Scharfetter-Gummel Method // National Hsinchu University of Education. 2011.