350 руб
Журнал «Успехи современной радиоэлектроники» №11 за 2013 г.
Статья в номере:
Изучение поверхностных электронных состояний в полупроводниках посредством холодной эмиссии в сканирующих туннельных микроскопах
Ключевые слова: поверхностные электронные состояния вероятность туннелирования туннельный ток вольт-ам-перная характеристика туннельного тока
Авторы:
А.М. Мандель - к.ф.-м.н., профессор, кафедра физики, МГТУ «Станкин». E-mail: arkadimandel@mail.ru А.И. Лоскутов - к.х.н., доцент, кафедра физики, МГТУ «Станкин». E-mail: ailoskutov@yandex.ru В.Б. Ошурко - д.ф.-м.н., зав. кафедрой физики, МГТУ «Станкин». E-mail: vbo08@yandex.ru Г.И. Соломахо - к.ф.-м.н., профессор, кафедра физики, МГТУ «Станкин». E-mail: solgeo@yandex.ru Ю.А. Федотова - студент 5 курса, МГТУ Гражданской авиации. E-mail: juli_fedotova@mail.ru
Аннотация:
Рассчитана вероятность автоэлектронной эмиссии и вид вольт-амперной характеристики туннельного тока с поверхности полупроводника при малых напряжениях в режиме сканирующего туннельного микроскопа. Показано, что предэкспоненциальный фактор вероятности туннелирования зависит от числа степеней свободы поверхностных электронных состояний, через которые проходит туннельный ток. Он и определяет в основном поведение вольт-амперной характе¬ристики при напряжениях, малых по сравнению с потенциалом выхода, причем независимо от механизма электронной эмиссии. Предложен способ контроля качества поверхности полупроводников на основе анализа такого рода данных.
Страницы: 23-27
Список источников

  1. Simmons J.G. // J. Appl. Phys. 1963. V. 34. P. 283. 1793.
  2. Bardeen J. // Phys. Rev. Lett. 1961. V. 6. P. 57.
  3. Tersoff J., Hamann D. // Phys. Rev. B. 1985. V. 31. P. 805.
  4. Bohme T., Simpson C.D., Mullen K., Rabe J.P. // Chem. Eur. J. 2007. V. 13. P. 7349.
  5. www.ntmdt.ru/spm-basics/view/stm
  6. Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Зотеев А.В. Основы физики поверхности твёрдого тела. М.: МГУ. 1999. С. 77-82.
  7. Ахияров В.В. // Успехи современной радиоэлектроники. 2012. № 5. С. 3.
  8. Горячев В.А. // Успехи современной радиоэлектроники. 2011. Т. 3. С. 17.
  9. SeegerK. SemiconductorPhysics. Ed. bySpringer-Verlag. N.Y.: Wien. 1973 (Зеегер К. Физика полупроводников. М.: Мир. 1977. С. 540-545).
  10. ЛатышевА.В., АсеевА.Л. // УФН. 1998. Т. 168. C. 1117.
  11. Grigor-ev S.N., Lanovoi O.V., Mandel A.M., et al. // J. Friction and Wear. 2013. V. 34. P. 238.
  12. Демков Ю.Н., Друкарев Г.Ф. // ЖЭТФ. 1964. T. 47. C. 918.
  13. Демков Ю.Н., Островский В.Н. Метод потенциала нулевого радиуса в атомной физике. Ленинград: ЛГУ. 1975.
  14. Бязь А.И., Зельдович Я.Б., Переломов А.М. Рассеяние, реакции и распады в нерелятивистской квантовой механике. M.: Наука. 1966. С.18-29, 162-188.
  15. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. M.: Наука. 1974. С. 626-639.
  16. ManakovN.L., FrolovM.V., StaraceA.F., etal. // J. Phys. B. 2000. V. 33. P. R141.
  17. Родионов В.Н., Мандель А.М. // Вестн. МГУ. Сер. 3: Физика. Астрономия. 2001. T. 3. C. 25.
  18. Родионов В.Н., Кравцова Г.А., Мандель А.М. // Письма в ЖЭТФ. 2002. T. 75.C. 435.
  19. Родионов В.Н., Кравцова Г.А., Мандель А.М. // ДАН. 2002. T. 386. C. 753.
  20. Родионов В.Н., Кравцова Г.А., Мандель А.М. // ТМФ. 2005.T. 145. № 2. C. 198.
  21. Родионов В.Н., Кравцова Г.А., Мандель А.М. // ТМФ. 2010.T. 164. № 1. C. 157.
  22. Григорьев С.Н., Мандель А.М., Ошурко В.Б. и др. // Письма в ЖТФ. 2011. T. 37. C. 74.
  23. Fowler R., Nordheim L. // Proc. Roy. Soc. A. 1928. V. 119. P. 173; Blakemore J.S. Solid State Physics. CambridgeUniv. Press. 1985 (Дж. Блейкмор. Физика твёрдого тела. M.: Мир. 1988. С. 236-238).
  24. Федорюк М.В. Асимптотика. Интегралы и ряды. M.: Наука. 1987. С. 57-66.
  25. Новиков Ю.Н. // ФТТ. 2005. T. 47. C. 2142.