Рябушкин О. А., Сотников А. Е., Черников М. А.

Представлены новые методы оптической спектроскопии полупроводниковых структур, использующие модуляцию коэффициента отражения света при воздействии на образец переменного тока, СВЧ-поля, высокочастотного поля двух конфигураций, оптического излучения с энергией квантов как большей, так и меньшей энергии запрещенной зоны исследуемого полупроводника. Установлено, что наблюдаемые спектры определяются возникновением внутренних термо-ЭДС, которые изменяют межзонное поглощение в области сильного поля (эффект Франца-Келдыша) изменением экситонных состояний и электронным разогревом.